[发明专利]金属膜表面贴装熔断器

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及电路保护器件的领域。更特别地，本发明涉及被配置为在高环境温度环境中向电路提供过电流保护的金属膜表面贴装熔断器。

背景技术

金属膜电流保护器件被用来保护其中板上的空间限制受到重视的电路组件。通常，特定电路所需的电流或电压容量越大，熔断器尺寸越大。然而，受保护电路被安装在其上面的电路板上的可用面积（real estate）是非常有限的。另外，这些熔断器被用于迫使需要温度稳定性和性能可靠性的高电流和高环境温度环境中。

已提供了可安装在电路板上的超小型熔断器以针对高电压和/或高电流使用来保护电路。例如，已采用了具有设置在衬底上以形成层压结构的多个金属化层的微型熔断器。层被使用金属化孔或通孔根据特定的应用串联地或并联地互连。该层被在特定的位置处穿孔并使用导电膏金属化以形成互连通孔。在熔断器的端上形成了端盖或垫以提供到被保护的电路的连接。然而，产生通孔并进行金属化以将各层互连要求增加的制造时间和成本以保证过程和器件可靠性。因此，需要提供一种被配置为在允许减少的制造时间和关联成本的同时在高环境温度环境中提供性能可靠性的芯片熔断器。

发明内容

本发明的示例性实施例针对一种芯片熔断器。在示例性实施例中，芯片熔断器包括衬底、设置在衬底上的多个可熔链接层，每层具有被电连接到另一层的一端的至少一端。多个绝缘层被设置在所述多个可熔链接层之间。所述多个绝缘层被设置在衬底上。

在另一示例性实施例中，芯片熔断器包括衬底、多个可熔链接层、多个绝缘层和盖。第一绝缘层被设置在衬底上。第一可熔链接层被设置在第一绝缘层上，其中，第一可熔链接层具有第一端和第二端。第一端限定用于到电路的连接的第一端子部分。第二绝缘层被至少部分地设置在第一可熔链接层上。第二可熔链接层被设置在第二绝缘层上。第二可熔链接层具有第一端和第二端。第二可熔链接层的第一端被连接到第一可熔链接层的第二端。第三绝缘层被至少部分地设置在第二可熔链接层上。第三可熔链接层被设置在第三绝缘层上。第三可熔链接层具有被连接到第二可熔链接层的第二端的第一端和限定用于到电路的连接的第二端子部分的第二端。

附图说明

图1举例说明依照本发明的实施例的芯片熔断器的横截面图。

图2举例说明依照本发明的实施例的限定图1所示的芯片熔断器的多个层的分割顶视平面图。

图3是依照本发明的实施例的芯片熔断器的替换实施例的横截面图。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图来更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，可以以许多不同形式来体现本发明，并且不应将其理解为局限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了本公开将是透彻和完整的，并将向本领域的技术人员完全传达本发明的范围。在图中，相同的附图标记自始至终指示相同的元件。在以下描述和/或权利要求中，可以使用术语“设置在上面”以及其派生词。在特定实施例中，可以使用“设置在上面”来指示两个或更多层相互处于直接物理和/或电接触。然而，设置在上面还可以意指两个或更多层可以不相互处于直接接触，而是仍可以相互合作和/或交互。另外，设置在上面还可以意指，如本文所使用的，术语“设置在上面”意图包括层。

图1是具有盖或顶层12、衬底或底层15、多个中间绝缘或玻璃层21、22、23、24和25及多个中间可熔链接层31、32、33、34和35（这些全部被层压在一起）的芯片熔断器10的横截面图。可以将盖12、玻璃层21、22、23、24和25及可熔链接层31、32、33、34和35沉积在具有期望曲率半径的底层15上以增加表面面积和关联过电流响应特性。虽然在本文中描述了五（5）个中间可熔链接层和五（5）个玻璃层，但根据期望的过电流额定值和特定电路应用，可以采用任何数目的中间层。可熔链接层31、32、33、34和35是金属导体，并且可以是例如银和/或涂敷有银合金的材料，其被以类似于蛇形的结构沉积，插入了玻璃层21、22、23、24和25。绝缘材料中的盖12可以是例如玻璃材料且可以与玻璃层21、22、23、24和25相同或不同。