[发明专利]金属膜表面贴装熔断器有效

专利信息
申请号: 201080041430.8 申请日: 2010-09-16
公开(公告)号: CN102630330A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: G.T.迪特施;O.斯帕尔顿-斯图尔特 申请(专利权)人: 力特保险丝有限公司
主分类号: H01H85/04 分类号: H01H85/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;卢江
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 金属膜 表面 熔断器
【权利要求书】:

1.一种芯片熔断器,包括:

衬底;

多个可熔链接层,其被设置在所述衬底上,每个层具有被电连接到另一层的一端的至少一端;以及

多个绝缘层,其被设置在所述多个可熔链接层之间,所述多个绝缘层被设置在所述衬底上。

2.权利要求1的芯片熔断器,还包括设置在所述多个可熔链接层和所述多个绝缘层上的绝缘盖。

3.权利要求2的芯片熔断器,其中,所述多个层中的至少一个具有限定端子部分的一端。

4.权利要求3的芯片熔断器,其中,所述端子部分是第一端子部分,所述芯片熔断器还包括在所述多个可熔链接层中的最后一个的一端处限定的第二端子部分,所述绝缘盖被配置为使所述第一和第二端子部分暴露,其中,所述第一和第二端子部分限定到电路的连接点。

5.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个可熔链接层、所述多个绝缘层、所述盖和所述衬底全部被层压在一起。

6.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个可熔链接层中的至少一个具有相对于所述衬底的曲率半径,使得所述多个可熔链接层中的所述至少一个的表面面积与特定过电流响应特性相关联。

7.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个可熔链接层中的每一个具有相对于所述衬底的曲率半径,使得所述多个可熔链接层的表面面积与特定过电流响应特性相关联。

8.权利要求7的芯片熔断器,还包括设置在所述多个可熔链接层和所述多个绝缘层上的绝缘盖,所述盖具有与所述多个可熔链接层的曲率半径相对应的曲率半径。

9.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个可熔链接层的所述端中的每一个呈锥形以提供其之间的可靠电连接。

10.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个可熔链接层被相对于彼此物理上平行地设置在所述衬底上。

11.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个绝缘层被相对于彼此物理上平行地设置在所述衬底上。

12.权利要求3的芯片熔断器,其中,所述第一端子部分限定用于到所述电路的第一连接的垫。

13.权利要求4的芯片熔断器,其中,所述第二端子部分限定用于到所述电路的第二连接的垫。

14.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个绝缘层中的第一个被设置在所述衬底的顶面与所述多个可熔链接层中的第一个之间。

15.权利要求1的芯片熔断器,其中,所述多个绝缘层和所述多个可熔链接层相对于所述衬底是基本上平面的。

16.一种芯片熔断器,包括:

衬底;

第一绝缘层,其被设置在所述衬底上;

第一可熔链接层,其被设置在所述第一绝缘层上,所述第一层具有第一端和第二端,所述第一端限定用于到电路的连接的第一端子部分;

第二绝缘层,其被至少部分地设置在所述第一可熔链接层上;

第二可熔链接层,其被设置在所述第二绝缘层上,所述第二可熔链接层具有第一端和第二端,所述第二可熔链接层的所述第一端被连接到所述第一可熔链接层的所述第二端;

第三绝缘层,其被至少部分地设置在所述第二可熔链接层上;以及

第三可熔链接层,其被设置在所述第三绝缘层上,所述第三可熔链接层具有被连接到所述第二可熔链接层的所述第二端的第一端和限定用于到电路的连接的第二端子部分的第二端。

17.权利要求16的芯片熔断器,其中,所述第一、第二和第三可熔链接层形成从所述第一端子部分至所述第二端子部分的连续导电路径。

18.权利要求16的芯片熔断器,还包括设置在所述可熔链接层和所述绝缘层上的绝缘盖,所述绝缘盖被配置为使所述第一和第二端子部分暴露。

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