[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201080039807.6 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102484075A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 穗永美纱子;增田健良;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体器件(1)的方法，包括下列步骤：
在碳化硅衬底(11)上形成由碳化硅制成的半导体层(12)；
在所述半导体层(12)上形成膜；以及
在所述膜中形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件(1)的方法，其中
在所述形成膜的步骤中，所述膜是掩膜层(22、24)和绝缘膜(15、17)中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件(1)的方法，其中
在所述形成沟槽的步骤中，以格子图案来形成所述沟槽。
4.一种包括具有层间绝缘膜(17)的芯片(10)的半导体器件(1)，包括沟槽(2)，所述沟槽(2)被形成在所述层间绝缘膜(17)中，以横跨所述芯片(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
