[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

因电子机器的小型化、轻质化、高性能化的要求，开发出了多片技术。通过使多个半导体元件形成单一的组件形态的半导体装置，使其向电子机器的搭载面积变小，另外使各半导体元件的配线距离缩短，从而能够提高性能(例如参照专利文献1、2、3)。

以往，半导体元件与引线框的引线端子的接合一般利用金线接合(例如参照专利文献3的第15段)。

另外，以往，主要利用半导体封装用环氧树脂组合物的固化物封装集成电路、二极管、晶体管等的半导体装置。尤其是在集成电路中使用的是配合有环氧树脂、酚醛树脂系固化剂和无机填充材料的、耐热性、耐湿性优异的半导体封装用环氧树脂组合物。近年来，半导体元件的高集成化被逐年推进，另外，半导体装置的表面安装化也受到促进，其中，对在半导体元件的封装中使用的半导体封装用环氧树脂组合物的要求变得日益严格。

在应用了多片技术的半导体装置中的使用也是对应于这种严格的要求的一种情况。在多片类型中，尤其是就层叠有半导体元件的装置而言，流路狭窄且复杂，成型时的半导体封装用环氧树脂组合物的流动的限制大。因此，存在发生未填充半导体封装用环氧树脂组合物的问题。

专利文献

专利文献1：日本特开2005-340766号公报

专利文献2：日本特开2006-019531号公报

专利文献3：日本特开2007-134486号公报

专利文献4：日本特开2001-151866号公报

发明内容

本发明提供未填充半导体封装用环氧树脂组合物的发生少的、可靠性优异的半导体装置。

本发明如下所述：

[1]一种半导体装置，其特征在于，是将2个以上的半导体元件层叠、并搭载于引线框，用导线(wire)将前述引线框(lead frame)与前述半导体元件电接合，用半导体封装用环氧树脂组合物的固化物将前述半导体元件、前述导线和电接合部封装而得的半导体装置，其中，

前述半导体封装用环氧树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料，

前述(C)无机填充材料含有最薄填充厚度的2/3以下的粒径的粒子99.9质量％以上。

[2]根据[1]所述的半导体装置，其中，通过层叠前述半导体元件而设置空隙部，前述半导体封装用环氧树脂组合物的固化物被填充于前述空隙部，构成具有最薄前述填充厚度的填充部。

[3]根据[2]所述的半导体装置，其中，在前述半导体元件与前述半导体元件之间的前述空隙部、或者前述半导体元件与前述引线框之间的前述空隙部中，在层叠方向上最薄厚度相当于最薄前述填充厚度。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的半导体装置，其中，前述导线为铜制导线。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的半导体装置，是前述半导体元件隔着间隔件层叠、并搭载于所述引线框的半导体装置，其中，前述(C)无机填充材料含有前述间隔件厚度的2/3以下的粒径的粒子99.9质量％以上。

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的半导体装置，其中，前述(C)无机填充材料含有二氧化硅。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的半导体装置，其中，利用前述导线的反向焊接将前所述引线框与前述半导体元件电接合。

[8]根据[4]所述的半导体装置，其中，前述铜制导线的铜纯度为99.99质量％以上。

[9]根据[4]或[8]所述的半导体装置，其中，前述铜制导线在其表面具有由含有钯的金属材料构成的覆盖层。

[10]根据[9]所述的半导体装置，其中，前述覆盖层的厚度为0.001μm～0.02μm。

[11]根据[5]所述的半导体装置，其中，所述间隔件的厚度为0.01mm～0.2mm。

根据本发明，能够得到未填充半导体封装用环氧树脂组合物的发生少的、可靠性优异的半导体装置。

附图说明

通过如下所述的优选的实施方式以及随附于其的以下的附图，进一步明确上述的目的和其他的目的、特征和优点。

图1是表示本发明的半导体装置的一例的剖面结构的图。

图2是表示本发明的半导体装置的一例的剖面结构的图。

具体实施方式