[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，是将2个以上的半导体元件层叠、并搭载于引线框，用导线将所述引线框和所述半导体元件电接合，用半导体封装用环氧树脂组合物的固化物将所述半导体元件、所述导线和电接合部封装而得的半导体装置，其中，

所述半导体封装用环氧树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料，

所述(C)无机填充材料含有最薄填充厚度的2/3以下的粒径的粒子99.9质量％以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，通过层叠所述半导体元件而设置空隙部，所述半导体封装用环氧树脂组合物的固化物被填充于所述空隙部，构成具有最薄所述填充厚度的填充部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述半导体元件与所述半导体元件之间的所述空隙部、或者所述半导体元件与所述引线框之间的所述空隙部中，在层叠方向上最薄厚度相当于最薄所述填充厚度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述导线为铜制导线。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，是所述半导体元件隔着间隔件层叠、并搭载于所述引线框的半导体装置，其中，所述(C)无机填充材料含有所述间隔件厚度的2/3以下的粒径的粒子99.9质量％以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，所述(C)无机填充材料含有二氧化硅。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，利用所述导线的反向焊接将所述引线框与所述半导体元件电接合。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述铜制导线的铜纯度为99.99质量％以上。

9.根据权利要求4或8所述的半导体装置，其中，所述铜制导线在其表面具有由含有钯的金属材料构成的覆盖层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述覆盖层的厚度为0.001μm～0.02μm。

11.根据权利要5所述的半导体装置，其中，所述间隔件的厚度为0.01mm～0.2mm。