[发明专利]基于乙烯的聚合物组合物有效
申请号: | 201080038998.4 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102575071A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | T.赫梅尔-戴维多克;M.德米罗尔斯;S.海尼;丛蓉娟 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08F10/02;G01N30/30;G01N30/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 乙烯 聚合物 组合 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年7月1日提交的美国临时申请No.61/222,371的优先权,在其在此完全引入作为参考。
背景技术
近年来有许多种聚合的聚乙烯聚合物,包括使用高压自由基化学制备的那些(LDPE),通常使用Ziegler-Natta催化和茂金属制备的更加常规的线性低密度聚乙烯(LLDPE),或限制几何形状的催化聚乙烯-一些线性聚乙烯,以及一些包含少量的长链分支的基本线性的聚乙烯。尽管这些聚合物具有不同的好处和坏处-取决于应用或最终用途-但是仍需要对聚合物结构进行更多的控制。
目前我们发现后茂金属催化剂(post-metallocene catalyst)可有效将乙烯聚合为聚合物和聚合物组合物,该聚合物和聚合物组合物具有控制的共聚单体分布曲线,同时还控制聚合物中的不饱和水平。
发明内容
在一个实施方案中,本发明为基于乙烯的聚合物组合物,其特征为共聚单体分布常数大于约45,更优选大于50,最优选大于95,且高达400,优选高达200,其中该组合物具有少于120个总不饱和单元/1,000,000C。优选地,该基于乙烯的聚合物组合物包含至多约3个长链分支/1000个碳,更优选约0.01至约3个长链分支/1000个碳。该基于乙烯的聚合物组合物可具有的ZSVR至少为2。该基于乙烯的聚合物组合物进一步的特征可为包含少于20个1,1-亚乙烯基不饱和单元/1,000,000C。该基于乙烯的聚合物组合物可具有双峰分子量分布(MWD)或多峰MWD。该基于乙烯的聚合物组合物可在35℃至120℃具有包含单峰或双峰分布的共聚单体分布曲线,所述单峰或双峰分布不包括吹扫。该基于乙烯的聚合物组合物可包含单一DSC熔化峰。该基于乙烯的聚合物组合物可包含约17,000至约220,000的重均分子量(Mw)。
包含该新的聚合物组合物的制品也被考虑,尤其以至少一个膜层的形式。其它实施方案包括热塑性制剂,其包含该新的聚合物组合物和至少一种天然或合成的聚合物。
该基于乙烯的聚合物组合物可为至少部分交联的(至少5%(重量)凝胶)。
在另一实施方案中,本发明为以下方法,包括:
(A)在第一反应器中或在多部分反应器的第一部分中在第一催化剂的存在下聚合乙烯以形成半晶态基于乙烯的聚合物,和
(B)在至少一个其它反应器中或在多部分反应器的后一部分中在第二催化剂的存在下将半晶态基于乙烯的聚合物与另外的乙烯反应以形成乙烯类聚合物,其中(A)和(B)的催化剂可相同或不同,且各为对于下式的多价芳基氧基醚的金属络合物:
其中M3为Ti、Hf或Zr,优选Zr;
Ar4每次出现时独立地为取代的C9-20芳基,其中所述取代基,每次出现时独立地选自烷基;环烷基;和芳基;和它们卤代-、三烃基甲硅烷基-和卤代烃基-取代的衍生物,条件是至少一个取代基与其连接的芳基缺少共平面性;
T4每次出现时独立地为C2-20亚烷基,亚环烷基或亚环烯基,或它们不活泼取代的衍生物,
R21每次出现时独立地为氢、卤素、烃基、三烃基甲硅烷基、三烃基甲硅烷基烃基、烷氧基或二(烃基)氨基,其不算氢至多50个原子;
R3每次出现时独立地为氢、卤素、烃基、三烃基甲硅烷基、三烃基甲硅烷基烃基、烷氧基或氨基,其不算氢至多50个原子;或者在相同亚芳基环上的两个R3基团一起或在相同或不同亚芳基环上的一个R3和一个R21基团一起形成在两个位置上连接至亚芳基的二价配体基团或将两个不同亚芳基环连接在一起,且
RD每次出现时独立地为卤素或烃基或三烃基甲硅烷基,其不算氢至多20个原子;或者2个RD基团一起为亚烃基、烃二基(hydrocarbadiyl)、二烯、或聚(烃基)亚甲硅基,尤其当步骤(B)的反应通过接枝聚合发生。
在另一实施方案中,本发明为表征用于共聚单体组合物分布(CDC)的基于乙烯的聚合物的方法,包括以下步骤:
(A)根据等式2从CEF获得在35.0℃至119.0℃的各温度(T)的重量分数(WT(T)),其中温度阶梯为0.200℃,
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