[发明专利]基于乙烯的聚合物组合物

权利要求书

1.基于乙烯的聚合物组合物，其特征为共聚单体分布常数大于约45，更优选大于50，最优选大于95，且高达400，优选高达200，其中该组合物具有少于120个总不饱和单元/1,000,000C。

2.权利要求1所述的聚合物组合物，其中该组合物包含至多约3个长链分支/1000个碳，优选约0.01至约3个长链分支/1000个碳。

3.权利要求1所述的聚合物组合物，具有的ZSVR至少为2。

4.权利要求3所述的聚合物组合物，进一步的特征为包含少于20个1，1-亚乙烯基不饱和单元/1,000,000C。

5.权利要求1所述的聚合物组合物，其中该组合物具有双峰分子量分布。

6.权利要求1所述的聚合物组合物，其中该组合物具有多峰MWD。

7.制品，其包含权利要求1所述的组合物。

8.权利要求1所述的聚合物组合物，进一步包括单一DSC熔化峰。

9.热塑性制剂，其包含权利要求1所述的组合物和至少一种天然或合成的聚合物。

10.权利要求1所述的组合物，其中所述组合物已被至少部分交联(至少5％凝胶)。

11.权利要求1所述的组合物，其中该组合物在35℃至120℃具有包含单峰或双峰分布的共聚单体分布曲线，所述单峰或双峰分布不包括吹扫。

12.权利要求1所述的聚合物组合物，包括约17,000至约220,000的Mw。

13.聚合方法，包括：

(A)在第一反应器中或在多部分反应器的第一部分中在第一催化剂的存在下，聚合乙烯，以及任选的C₃-C₂₀α-烯烃，以形成半晶态基于乙烯的聚合物，和

(B)在至少一个其它反应器中或在多部分反应器的后一部分中在第二催化剂的存在下将半晶态基于乙烯的聚合物与另外的乙烯反应以形成乙烯类聚合物，其中(A)和(B)的催化剂可相同或不同，且

(A)和(B)的各催化剂为对应于下式的多价芳基氧基醚的金属络合物

其中M³为Ti，Hf或Zr，优选Zr；

Ar⁴每次出现时独立地为取代的C_9-20芳基，其中所述取代基每次出现时独立地选自烷基；环烷基；和芳基；和它们卤代-、三烃基甲硅烷基-和卤代烃基-取代的衍生物，条件是至少一个取代基与其连接的芳基缺少共平面性；

T⁴每次出现时独立地为C_2-20亚烷基，亚环烷基或亚环烯基，或它们不活泼取代的衍生物，

R²¹每次出现时独立地为氢、卤素、烃基、三烃基甲硅烷基、三烃基甲硅烷基烃基、烷氧基或二(烃基)氨基，其不算氢至多50个原子；

R³每次出现时独立地为氢、卤素、烃基、三烃基甲硅烷基、三烃基甲硅烷基烃基、烷氧基或氨基，其不算氢至多50个原子；或者在相同亚芳基环上的两个R³基团一起或在相同或不同亚芳基环上的一个R³和一个R²¹基团一起形成在两个位置上连接至亚芳基的二价配体基团或将两个不同亚芳基环连接在一起，且

R^D，每次出现时独立地为卤素或烃基或三烃基甲硅烷基，其不算氢至多20个原子；或者2个R^D基团一起为亚烃基、烃二基、二烯、或聚(烃基)亚甲硅基，尤其当步骤(B)的反应通过接枝聚合发生。

14.权利要求8所述的制品，其为至少一个膜层的形式。

15.表征用于共聚单体组合物分布(CDC)的基于乙烯的聚合物的方法，包括以下步骤：

(A)根据等式2从CEF获得在35.0℃至119.0℃的各温度(T)的重量分数(W_T(T))，其中温度阶梯为0.200℃，

∫35119.0wT(T)dT=1]]>等式2

(B)以0.500的累计重量分数计算平均温度(T_平均)(等式3)，

等式3

(C)通过使用共聚单体含量校准曲线(等式4)计算在中值温度(T_中值)的对应的以摩尔％计的中值共聚单体含量(C_中值)，

R²＝0.997    等式4

(D)通过使用一系列具有已知量的共聚单体含量的参考材料构造共聚单体含量校准曲线，在CEF实验部分指定的相同实验条件下用CEF分析11个参考材料，所述参考材料具有窄共聚单体分布(在CEF中35.0至119.0℃的单峰共聚单体分布)，重均Mw为35,000至115,000(通过常规GPC)，且共聚单体含量为0.0摩尔％至7.0摩尔％，

(E)通过使用各参考材料的峰温度(T_p)和其共聚单体含量计算共聚单体含量校准，该校准为：R²为相关常数，

(F)由总重量分数计算共聚单体分布指数，且共聚单体含量范围为0.5*C_中值至1.5*C_中值，如果T_中值大于98.0℃，则共聚单体分布指数定义为0.95，

(G)从CEF共聚单体分布曲线通过检索35.0℃至119.0℃的各数据点寻找最高峰获得最大峰高度(如果两个峰相同则选择较低温度的峰)，半宽度定义为在最大峰高度的一半时前面温度和后面温度的温度差异，在最大峰一半时的前面温度从35.0℃向前检索，而在最大峰一半时的后面温度从119.0℃向后检索，在定义明确的双峰分布，即其中峰温度的差异等于或大于各峰的半宽度的总和的情况下，该聚合物的半宽度计算为各峰的半宽度的算数平均值，

(H)根据等式5计算温度的标准偏差(Stdev)：

Stdev=Σ35.0119.0(T-Tp)2*wT(T)]]>等式5。