[发明专利]放射线摄像设备有效
| 申请号: | 201080038738.7 | 申请日: | 2010-08-25 | 
| 公开(公告)号: | CN102484117A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 | 
| 发明(设计)人: | 加藤胜志;小林正明;大村理 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24;H01L23/467 | 
| 代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 | 
| 地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放射线 摄像 设备 | ||
1.一种放射线摄像设备,其能够容纳用于检测放射线的放射线检测单元,所述放射线摄像设备包括:
第一冷却部件,用于利用所述放射线摄像设备内的冷却介质,使容纳于所述放射线摄像设备内的所述放射线检测单元的第一发热部冷却;
第二冷却部件,用于利用所述冷却介质,使容纳于所述放射线摄像单元内的所述放射线检测单元的第二发热部冷却,其中,所述第二发热部的发热量大于所述第一发热部的发热量;以及
排出口,其形成在与离所述第一发热部相比离所述第二发热部更近的位置,并且用于排出所述冷却介质。
2.根据权利要求1所述的放射线摄像设备,其特征在于,
所述放射线检测单元包括信号放大单元和电气基板,其中,所述信号放大单元用于放大对放射线的检测信号,并且所述电气基板包括:电源单元,用于供给驱动所述放射线检测单元所需的电力;以及信号处理单元,用于对来自所述信号放大单元的信号进行处理,
其中,所述第一冷却部件使所述信号放大单元冷却,并且所述第二冷却部件使所述电气基板冷却。
3.根据权利要求2所述的放射线摄像设备,其特征在于,
所述放射线检测单元形成为矩形形状,
所述信号放大单元连接至所述放射线检测单元的至少一边,以及
所述电气基板配置在所述放射线检测单元的放射线图像接收面的背面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放射线摄像设备,其特征在于,所述排出口形成在不位于所述第一冷却部件和所述第二冷却部件之间的位置处。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线摄像设备,其特征在于,
所述第一冷却部件利用所述冷却介质,使包括所述放射线检测单元的所述第一发热部的整个所述放射线检测单元冷却,以及
所述第二冷却部件利用所述冷却介质,仅使所述第二发热部冷却。
6.根据权利要求2所述的放射线摄像设备,其特征在于,
所述放射线检测单元形成为矩形形状,
所述信号放大单元包括分别连接至所述放射线检测单元的相对的两边的多个信号放大单元,以及
所述电气基板配置在所述放射线检测单元的放射线图像接收面的背面上。
7.根据权利要求6所述的放射线摄像设备,其特征在于,所述第一冷却部件包括多个冷却部件,所述多个冷却部件用于分别使所述多个信号放大单元冷却,以及
用于排出所述冷却介质的多个排出口形成在与离所述多个信号放大单元中的各信号放大单元相比离所述电气基板更近的位置处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





