[发明专利]触摸检测

权利要求书

1.一种触屏装置，包括：

辐射源；

挠性波导，该挠性波导被配置为接收由所述辐射源发出的辐射并且引起至少一些接收到的辐射经历在所述挠性波导内的全内反射；

阻挠层，该阻挠层相对于所述挠性波导设置，以便当所述挠性波导被物理变形时能使所述阻挠层接触所述挠性波导，所述阻挠层被配置为：

当所述挠性波导被物理变形以接触所述阻挠层而使在所述挠性波导内经历全内反射的一些接收到的辐射在接触点从所述挠性波导逃逸时，致使在所述阻挠层和所述挠性波导之间的接触点处阻挠所接收到的辐射在所述挠性波导内的全内反射；以及

成像传感器，该成像传感器被配置为检测至少一些从所述挠性波导逃逸的辐射。

2.如权利要求1所述的触屏装置，其中所述阻挠层包括一结构，该结构配置为控制从所述挠性波导朝向所述图像传感器逃逸的辐射的至少一部分。

3.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构包括光漫射表面。

4.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构包括和所述阻挠层为一体的体漫射结构。

5.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构包括对应于光栅结构的衍射图形。

6.如权利要求5所述的触屏装置，其中所述光栅结构包括闪耀光栅外形、方波外形、1位二进制的衍射光栅外形、多位调制的二进制外形、正弦曲线外形和半正弦曲线外形中的至少一个。

7.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构包括非周期性的衍射图形。

8.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构包括一衍射图形，在该衍射图形中折射率变化的平面基本上平行于所述阻挠层的辐射入射在其上的表面对准。

9.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构在所述阻挠层的最邻近所述挠性波导的表面上。

10.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构在所述阻挠层的最远离所述挠性波导的表面上。

11.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构被配置为通过衍射控制从所述挠性波导朝向所述成像传感器逃逸的辐射的至少一部分。

12.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构被配置为通过折射控制从所述挠性波导朝向所述成像传感器逃逸的辐射的至少一部分。

13.如权利要求12所述的触屏装置，其中所述结构包括棱镜阵列。

14.如权利要求2所述的触屏装置，其中所述结构被分成几个子结构，并且每个子结构被配置为控制从所述挠性波导朝向所述成像传感器逃逸的辐射。

15.如权利要求1所述的触屏装置，进一步包括一挠性阻挠层，该挠性阻挠层相对于所述挠性波导设置以便当所述挠性阻挠层被物理变形时能使所述挠性阻挠层接触所述挠性波导，该挠性阻挠层被配置为：

当所述挠性阻挠层被物理变形以接触所述挠性波导而使在所述挠性波导内经历全内反射的一些接收到的辐射在所述挠性阻挠层和所述挠性波导之间的接触点从所述挠性波导逃逸时，致使在所述挠性阻挠层和所述挠性波导之间的接触点处阻挠所接收到的辐射在所述挠性波导内的全内反射。

16.如权利要求15所述的触屏装置，其中所述阻挠层被设置在所述挠性波导层的第一侧上和所述挠性阻挠层被设置在所述挠性波导层的相对的第二侧上。

17.如权利要求15所述的触屏装置，其中所述挠性阻挠层可包括一结构，该结构被配置为控制从所述挠性波导朝向所述成像传感器逃逸的至少一部分辐射。

18.如权利要求1所述的触屏装置，进一步包括邻近所述阻挠层的显示装置。

19.如权利要求18所述的触屏装置，其中所述阻挠层被固定到所述显示装置。

20.如权利要求19所述的触屏装置，其中所述阻挠层与所述显示装置光学接触。

21.如权利要求18所述的触屏装置，进一步包括一耦合层，其中该耦合层与所述显示装置的距离所述阻挠层最远的一侧接触并且其中所述耦合层被配置为耦合来自所述液晶层的辐射。

22.如权利要求21所述的触屏装置，其中所述耦合层与所述显示装置的距离所述阻挠层最远的侧部光学接触。