[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极层，设置在绝缘表面上；

栅极绝缘层，设置在所述栅电极层上；

第一氧化物半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；

第二氧化物半导体层，设置在所述第一氧化物半导体层上且与所述第一氧化物半导体层接触；

氧化物绝缘层，与所述第一氧化物半导体层的第一区及所述第二氧化物半导体层的第一区重叠且与所述第二氧化物半导体层接触；以及

源电极层及漏电极层，设置在所述氧化物绝缘层及所述第一氧化物半导体层的第二区上，与所述第二氧化物半导体层的第二区重叠，且与所述第二氧化物半导体层接触，

其中，所述第一氧化物半导体层的所述第一区及所述第二氧化物半导体层的所述第一区设置在与所述栅电极层重叠的区域中及所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层的周缘及侧表面中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物绝缘层利用通过溅射法形成的氧化硅或氧化铝形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极层及所述漏电极层使用包含选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo及W中的元素作为其成分的膜或包含这些元素的合金膜的组合的叠层膜形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极层及所述漏电极层使用氧化铟、氧化铟和氧化锡的合金、氧化铟和氧化锌的合金、或氧化锌形成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在所述绝缘表面上的电容器部；以及

彼此重叠并被包括在所述电容器部中的电容器布线及电容器电极，

其中所述电容器布线及所述电容器电极具有透光性。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置组装在选自电子书阅读器、电视装置、数码相框、游戏机、投币机、便携式计算机及移动电话中的一种中。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物绝缘层使用氮氧化硅或氧氮化铝形成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层的平均总厚度为3nm至30nm。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

设置在所述源电极层及所述漏电极层上的平坦化绝缘层；以及

设置在所述平坦化绝缘层上并与所述栅电极层连接的导电层。

10.一种半导体装置，包括：

栅电极层，设置在绝缘表面上；

栅极绝缘层，设置在所述栅电极层上；

第一氧化物半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；

第二氧化物半导体层，设置在所述第一氧化物半导体层上且与所述第一氧化物半导体层接触；

氧化物绝缘层，与所述第一氧化物半导体层的第一区及所述第二氧化物半导体层的第一区重叠，且与所述第二氧化物半导体层接触；

源电极层及漏电极层，设置在所述氧化物绝缘层及所述第一氧化物半导体层的第二区上，与所述第二氧化物半导体层的第二区重叠，且与所述第二氧化物半导体层接触；以及

保护绝缘层，设置在所述氧化物绝缘层、所述源电极层、所述漏电极层及所述第一氧化物半导体层的第三区上，与所述第二氧化物半导体层的第三区重叠，且与所述第二氧化物半导体层接触地设置，

其中，所述第一氧化物半导体层的所述第一区及所述第二氧化物半导体层的所述第一区设置在与所述栅电极层重叠的区域中及所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层的周缘及侧表面中。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述保护绝缘层利用通过溅射法形成的氮化硅、氧化铝或氮化铝形成。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述氧化物绝缘层利用通过溅射法形成的氧化硅或氧化铝形成。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述源电极层及所述漏电极层使用包含选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo及W中的元素作为其成分的膜或包含这些元素的合金膜的组合的叠层膜形成。