[发明专利]互连封装结构及制造和使用该互连封装结构的方法

权利要求书

1.一种互连封装结构，包括：

一半导体；

一晶粒焊盘，该晶粒焊盘设置于该半导体的一表面的至少一部分上，其中，该晶粒焊盘由一导电材料制成；

一凸块，该凸块设置于该晶粒焊盘的至少一部分上，其中，该凸块由一导电材料制成；

一基底；以及，

一基底焊盘，该基底焊盘设置于该基底的一表面的至少一部分上，其中，该基底焊盘由导电材料制成；

其中，该凸块配置为在该凸块与该基底焊盘接触时使该半导体的至少一部分与该基底的至少一部分电性互连；

其中，在该凸块与该基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生实质变形以在二者之间形成一非冶金结合。

2.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该非冶金结合是压力接触结合。

3.根据权利要求1的互连封装结构，还包括一电介质层，该电介质层设置于该基底和该基底焊盘之间。

4.根据权利要求3的互连封装结构，其中，该电介质层的至少一部分在该凸块与该基底焊盘接触时至少局部地发生变形。

5.根据权利要求1的互连封装结构，还包括一中间邦定层，该中间邦定层设置于该凸块和基底焊盘之间。

6.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该凸块的至少部分的充分变形和基底焊盘的至少部分的实质变形形成自所施加的至少约300兆帕的压强。

7.根据权利要求1的互连封装结构，还包括一设置于该凸块和该基底焊盘间的非反应型粘结剂，其中，该非反应型粘结剂被配置为用于加强该非冶金结合。

8.根据权利要求7的互连封装结构，其中，该非反应型粘结剂由非导电性绝缘膜制成。

9.根据权利要求7的互连封装结构，其中，该非反应型粘结剂由各项异性导电材料制成。

10.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该凸块由铜制成。

11.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该基底焊盘由铜制成。

12.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该基底由有机材料制成。

13.根据权利要求1的互连封装结构，其中，该凸块和与之邻近的凸块间的距离小于或者等于约30微米。

14.一种制造互连封装结构的方法，该方法包括：

提供一半导体，该半导体包括一导电晶粒焊盘和一导电凸块，该导电晶粒焊盘设置于该半导体的一表面的至少一部分上，该导电凸块设置于该晶粒焊盘的至少一部分上；

提供一基底，该基底包括一导电基底焊盘，该导电基底焊盘设置于该基底的一表面的至少一部分上；以及，

使该导电凸块与该导电基底焊盘接触；以及，

使该凸块的至少一部分和该基底焊盘的至少一部分发生实质变形以在二者之间形成一非冶金结合。

15.根据权利要求14的制造互连封装结构的方法，其中，将该基底焊盘设置在形成于该基底的表面上的一电介质层上。

16.根据权利要求15的制造互连封装结构的方法，其中，该电介质层的至少一部分在该变形期间发生变形。

17.根据权利要求14的制造互连封装结构的方法，其中，该变形包括施加一至少约300兆帕的压强。

18.根据权利要求14的制造互连封装结构的方法，其中，还包括在该凸块和基底焊盘间设置一非反应型粘结剂的步骤，其中，该非反应型粘结剂被配置为用于加强该非冶金结合。

19.根据权利要求14的制造互连封装结构的方法，其中，使该凸块和与之邻近的凸块间的距离小于或者等于约30微米。

20.一种互连封装结构，包括：

一半导体；

一铜晶粒焊盘，该铜晶粒焊盘设置于该半导体的一表面的至少一部分上；

一铜凸块，该铜凸块设置于该铜晶粒焊盘的至少一部分上；

一基底；

一铜基底焊盘，该铜基底焊盘设置于该基底的一表面的至少一部分上；

一非反应型粘结剂；

其中，该铜凸块被配置为在该铜凸块与该铜基底焊盘接触时使该半导体的至少一部分与该基底的至少一部分电性互连；

其中，在铜凸块与铜基底焊盘接触时，该凸块的至少一部分和该基底焊盘的至少一部分发生实质变形以在二者之间形成一非冶金结合；以及，

其中，通过该非反应型粘结剂加强该非冶金结合。