[发明专利]具有高电压容量的高电容多层无效
申请号: | 201080030062.7 | 申请日: | 2010-07-01 |
公开(公告)号: | CN102473522A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 约翰·巴尔蒂图德;詹姆斯·R·梅吉;朗尼·G·琼斯 | 申请(专利权)人: | 凯米特电子公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电压 容量 电容 多层 | ||
1.一种电容器,包括:
处在交替层中的第一内部导体和第二内部导体,其中所述第一内部导体具有第一极性,所述第二内部导体具有相反的极性;
与所述第一内部导体电接触的第一外部端子,其中所述第一外部端子具有第一侧面延伸,所述第一侧面延伸沿着所述电容器的与所述第一内部导体和所述第二内部导体垂直的侧面延伸一个距离;
与所述第二内部导体电接触的第二外部端子,其中所述第二外部端子具有第二侧面延伸,所述第二侧面延伸沿着所述电容器的与所述第一内部导体和所述第二内部导体垂直的第二侧面延伸第二距离;
其中所述第一内部导体向所述第二外部端子延伸到距所述第二外部端子为间隔距离,所述间隔距离小于所述第二距离;
其中所述第一内部导体包括主体区域和二级区域,其中所述二级区域的区域宽度小于所述主体区域的主体宽度。
2.如权利要求1所述的电容器,还包括至少一个屏蔽层,所述屏蔽层平行于所述第一内部导体,具有与所述第一内部导体相反的极性,并且处在所述第一内部导体和最接近所述第一内部导体的相反极性的外部端子之间。
3.如权利要求2所述的电容器,还包括多个屏蔽层,所述屏蔽层平行于所述第一内部导体,并且至少两个所述屏蔽层具有与最接近的内部导体相反的极性。
4.如权利要求1所述的电容器,其中所述二级区域包括从半圆、梯形、矩形、部分圆角矩形和内凹梯形的组中选择的至少一种形状。
5.如权利要求4所述的电容器,其中所述二级区域包括从半圆、半椭圆和半长圆的组中选择的至少一种形状。
6.如权利要求4所述的电容器,其中所述矩形的长边垂直于并且小于所述主体区域的宽度。
7.如权利要求1所述的电容器,其中所述主体区域的高度至少为所述第一内部导体从所述第一外部端子开始测量的长度的66%。
8.如权利要求1所述的电容器,其击穿电压大于1120V。
9.如权利要求8所述的电容器,其击穿电压大于1500V。
10.一种电容器,包括:
处在交替层中的第一内部导体和第二内部导体,其中所述第一内部导体具有第一极性,所述第二内部导体具有相反的极性;
与所述第一内部导体电接触的第一外部端子,其中所述第一外部端子具有第一侧面延伸,所述第一侧面延伸沿着所述电容器的与所述第一内部导体和所述第二内部导体垂直的侧面延伸一个距离;
与所述第二内部导体电接触的第二外部端子,其中所述第二外部端子具有第二侧面延伸,所述第二侧面延伸沿着所述电容器的与所述第一内部导体和所述第二内部导体垂直的第二侧面延伸第二距离;
其中所述第一内部导体向所述第二外部端子延伸到距所述第二外部端子为间隔距离,所述间隔距离小于所述第二距离;
其中所述第一内部导体包括主体区域和二级区域,其中所述二级区域距离所述第二侧面延伸比所述第二距离更远。
11.如权利要求10所述的电容器,还包括至少一个屏蔽层,所述屏蔽层平行于所述第一内部导体和所述第二内部导体,具有与最接近的内部导体相反的极性,并且处在所述最接近的内部导体和最接近所述最接近的内部导体的相反极性的外部端子之间。
12.如权利要求11所述的电容器,还包括多个屏蔽层,所述屏蔽层平行于所述第一内部导体和所述第二内部导体,并且至少两个所述屏蔽层具有与最接近的内部导体相反的极性。
13.如权利要求10所述的电容器,其中所述二级区域包括从半圆、梯形、矩形、部分圆角矩形和内凹梯形的组中选择的至少一种形状。
14.如权利要求13所述的电容器,其中所述二级区域包括从半圆、半椭圆和半长圆的组中选择的至少一种形状。
15.如权利要求13所述的电容器,其中所述矩形的长边垂直于并且小于所述主体区域的宽度。
16.如权利要求10所述的电容器,其中所述主体区域的高度至少为所述第一内部导体从所述第一外部端子开始测量的长度的66%。
17.如权利要求10所述的电容器,其击穿电压大于1120V。
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