[发明专利]湿式处理装置以及湿式处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体基板等进行湿式清洗、用湿式药液进行蚀刻的湿式处理装置以及湿式处理方法。

背景技术

在半导体器件等精密基板的制造中，清洗和蚀刻等湿式处理是不可或缺的工序。为了实现节约清洗液、节省清洗装置的占地面积，近年来，开展了单片式湿式处理装置的开发。在大多数单片式湿式处理装置中，具有使被处理基板保持在水平状态下，且可旋转的旋转保持单元。作为被处理基板的保持方法，如专利文献1公开的那样，能够将被处理基板与旋转工作台以非接触的方式保持的、利用了伯努利(Bernoulli)定理的伯努利吸盘是有效的。

伯努利吸盘是通过在被处理基板的背面(下表面)，使气体从基板中心流向基板周边，根据伯努利定理使被处理基板的背面为负压，从而吸住被处理基板。为了在这样的伯努利吸盘中实现稳定地吸住，需要从被处理基板的中心轴轴对称地流过气体。但是，在该情况下，由于被处理基板的背面为负压，所以被处理基板会因表面与背面的压力差而向下方弯曲凹陷。

专利文献1：日本特开2008-85242号公报。

若通过伯努利吸盘向中央部稍凹陷的被处理基板供给湿式处理液，则存在湿式处理液停留于被处理基板的中央部，特别是被处理基板中央部的工序均匀性恶化的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够防止由于伯努利吸盘的使用而导致被处理基板的工艺均匀性的恶化的湿式处理装置以及湿式处理方法。

根据本发明的第1方式，提供一种将被处理基板保持在工作台上，使上述工作台旋转来进行湿式处理的湿式处理装置。在本湿式处理装置中，上述被处理基板构成为：通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且至少使用向该被处理基板的背面排放气体的伯努利吸盘来将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转，在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。

在基于上述方式的湿式处理装置中优选的方式如下。

上述伯努利吸盘在下述区域中带有凹陷部分，即：在上述工作台的上表面、且与包含处于保持状态的上述被处理基板的背面的中央部的区域对应的区域。

上述凹陷部分由设置在上述工作台的上表面的环状突起形成，该环状突起具有下述剖面形成，即：处于保持状态的上述被处理基板与该环状突起的上表面之间的距离随着从上述被处理基板的内侧向外侧而逐渐变小。

上述第一气体供给路形成为相对于上述工作台的中心呈轴对称。

在上述工作台的、与上述被处理基板的周边对应的位置上，设置有多个固定销，通过这些多个固定销，上述被处理基板被保持在上述工作台上的规定的位置。

上述工作台的旋转中心与上述被处理基板的中心之间的距离A和上述被处理基板的直径B在C＝0.0375±0.0045时满足A＝C×B的关系。

根据本发明的其它方式，提供一种湿式处理方法，其特征在于，通过设置在旋转工作台的旋转轴部分的第一气体供给路，将伯努利吸盘用的气体导入用于保持被处理基板的上述旋转工作台内的中央部，将所导入的气体通过与上述第一气体供给路连通且相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称地设置的第二气体供给路后，向上述被处理基板的背面侧供给，从而保持上述被处理基板，通过使上述旋转工作台旋转，使上述被处理基板以其中心从上述旋转工作台的旋转中心偏离的状态进行偏心旋转，在使进行上述偏心旋转的状态下，进行上述被处理基板的湿式处理。

在基于上述的其它方式的湿式处理方法中优选方式如下。

在上述工作台的上面、且与包含处于保持状态的上述被处理基板的背面的中央部的区域对应的区域形成环状突起，使该环状突起的剖面形状成为：处于保持状态的上述被处理基板与该环状突起的上表面之间的距离随着从上述被处理基板的内侧向外侧而逐渐变小，并且使向上述被处理基板的背面侧供给的气体的流速在上述被处理基板的外侧比上述被处理基板的内侧大。

根据本发明，在单片式的基板湿式处理装置中，提高工序均匀性。

附图说明

图1是应用了本发明的湿式处理装置的工作台周边部分的纵向剖视图(图1a)以及俯视图(图1b)。

图2是内置图1所示的工作台的湿式处理装置的纵向剖视图(图2a)以及俯视图(图2b)。

具体实施方式

实施例