[发明专利]湿式处理装置以及湿式处理方法无效
| 申请号: | 201080029796.3 | 申请日: | 2010-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN102473626A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明;根本刚直;村川顺之;吉川和博 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种湿式处理装置,是一种将被处理基板保持在工作台上,并使上述工作台旋转从而进行湿式处理的湿式处理装置,其特征在于,
上述被处理基板构成为:通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离,并且至少使用向该被处理基板的背面排放气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上,从而上述被处理基板随着上述工作台的旋转而偏心旋转,
在上述工作台内的旋转轴部分设置有上述伯努利吸盘所使用的第一气体供给路,在上述工作台还设置有与上述第一气体供给路连通,并用于向上述被处理基板的背面导入气体的第二气体供给路,该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。
2.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征在于,
上述伯努利吸盘在上述工作台的上表面的下述区域具有凹陷部分,即:与包含处于保持状态的上述被处理基板的背面的中央部的区域对应的区域。
3.根据权利要求2所述的湿式处理装置,其特征在于,
上述凹陷部分由设置在上述工作台的上表面的环状突起形成,该环状突起具有下述那样的剖面形状,即:处于保持状态的上述被处理基板与该环状突起的上表面之间的距离随着从上述被处理基板的内侧向外侧而逐渐变小。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的湿式处理装置,其特征在于,
上述第一气体供给路形成为相对于上述工作台的中心呈轴对称。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的湿式处理装置,其特征在于,
在上述工作台的上表面中的、与上述被处理基板的周边对应的位置上设置有多个固定销,通过这些多个固定销,上述被处理基板被保持在上述工作台上的规定的位置上。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的湿式处理装置,其特征在于,
上述工作台的旋转中心与上述被处理基板的中心之间的距离A和上述被处理基板的直径B在C=0.0375±0.0045时满足A=C×B的关系。
7.一种湿式处理方法,其特征在于,
通过设置在旋转工作台的旋转轴部分的第一气体供给路,将伯努利吸盘用的气体导入用于保持被处理基板的上述旋转工作台内的中央部,
使导入的气体与上述第一气体供给路连通,且通过相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对地设置的第二气体供给路后,向上述被处理基板的背面侧供给,从而保持上述被处理基板,
通过使上述旋转工作台旋转,使上述被处理基板以其中心从上述旋转工作台的旋转中心偏离的状态进行偏心旋转,
在上述偏心旋转的状态下,进行上述被处理基板的湿式处理。
8.根据权利要求7所述的湿式处理方法,其特征在于,
在上述工作台的上表面、且与包含处于保持状态的上述被处理基板的背面的中央部的区域对应的区域形成环状突起,并使该环状突起的剖面形状成为:处于保持状态的上述被处理基板与该环状突起的上表面之间的距离随着从上述被处理基板的内侧向外侧而逐渐变小,从而使向上述被处理基板的背面侧供给的气体的流速在上述被处理基板的外侧比在上述被处理基板的内侧大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





