[发明专利]具有包含合成物材料的制模化合物的电子装置

说明书

技术领域

一般而言，本发明是关于电子装置及用于电子装置的制模化合物。

背景技术

半导体芯片及集成电路晶粒通常是封装在制模化合物中，以产生封装的集成电路。该封装的集成电路可耦接至印刷电路板，并键接至系统的其它组件。制造者通常测试印刷电路板，以确保封装的集成电路及其它组件已适当地放置于该板上。

发明内容

本发明提供一种具有包含合成物材料的制模化合物的电子装置。

依据第一态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含：集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该封装的集成电路包含相对于该制模化合物，至少大约5重量百分比(5wt％)锌。

依据第二态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含：集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，材料，其在该集成电路的主要表面上，该材料具有大约1000至10,000cm²/g的x-光质量吸收系数。

依据第三态样，电子装置包含：封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该制模化合物包含合成物材料，用来吸收通过不小于大约10雷得的吸收剂量所特征化的软x-光辐射。依据该第三态样的实施例，该软x-光辐射包含辐射，该辐射具有从大约1奈米至大约10奈米的波长。

依据第四态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含：集成电路晶粒，其具有主要表面及复数个内存单元；制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上；以及，其中，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的x-光辐射后，该集成电路包含不超过大约1000ppm的内存单元，其V_t已经被不小于该电子装置的读取余裕的安置器所改变。

附图说明

将了解到，为了简化及清楚例示起见，图式中所例示的组件并没有依据比例绘示。举例来说，一些该组件的尺寸、角度及变曲度，相对于其它组件，是夸张地例示。并入有本发明的教示的实施例是相对于本文所呈现的图式，来加以显示及描述，其中：

图1至图4为例示包含制模化合物的电子装置的特别实施例的图式；以及

图5为电子装置暴露于辐射前、或暴露于辐射后，该电子装置的阈值电压分布图。

在不同的图式中使用相同的参考符号代表类似或相同的项目。

具体实施方式

本发明的多种创新教示将特别参考目前的较佳示范实施例来加以描述。然而，应了解到，此等级的实施例仅提供本文的该创新教示的许多有利用途的一些范例。一般而言，在本发明的说明书中所作成的陈述并没有必要限制任何所请求的发明。再者，一些陈述可能适用于一些发明特征、但却不适用于其它的发明特征。

如本文中所使用的，”包含”、“包括”、“具有”等用语或任何其它的变化用语，是用来涵盖非排除的包含。举例来说，包含一系列特征的制程、方法、物品、或装置，并没有必要仅限制于那些特征、而是可包含其它没有明白列在或隐含在这种制程、方法、物品、或装置中的特征。此外，除非有明白地相反说明，否则，“或”是指包含的或、而非排除的或。举例来说，条件A或B是满足于：A是真(或存在)且B是假(或非存在)、A是假(或不存在)且B是真(或存在)、及A与B均为真(或存在)。

并且，所使用的“一”是用来描述本文所描述的组件及组件。这样做只是为了方便起见，并且赋予本发明一般常识的范围。此描述应解读为包含一个或至少一个，并且，该单数用法也包含复数，反之亦然，除非在本文中有明确地表示相反的意思。举例来说，当本文所描述的是单一装置时，则超过一个装置可用来代替单一装置。类似地，在本文所描述的超过一个装置的地方，单一装置可被那一个装置所替换。

除非有相反的定义，否则本文所使用的所有技术及科学术语，均与本发明所属的技术领域中具有通常知识者所共同了解的，具有相同的意义。虽然类似或等效于本文所揭露的那些方法及材料的其它方法及材料，可用来实施或测试本发明的实施例，然而，适当的方法及材料将在下文中有所描述。此外，该等材料、方法及范围仅作为例示之用，而非用来限制本发明。