[发明专利]有机发光元件的制造方法、有机发光元件、发光装置、显示面板以及显示装置有效
| 申请号: | 201080026066.8 | 申请日: | 2010-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN102640318A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
| 发明(设计)人: | 磯部孝;三岛孝介;赤松香;大内晓 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 元件 制造 方法 装置 显示 面板 以及 显示装置 | ||
1.一种有机发光元件的制造方法,包括:
第一工序,在基板的上方形成具有空穴注入性的第一层;
第二工序,在所述第一层的上方涂敷堤材料,形成堤材料层;
第三工序,通过对所述堤材料层进行图案形成,形成规定与发光部对应的开口部的堤,并且,使所述堤材料层的一部分附着于所述第一层,在所述第一层的表面形成树脂膜;
第四工序,对所述开口部涂敷包含有机材料的墨,使其与所述树脂膜接触,形成包括有机发光层的功能层;
第五工序,在所述功能层的上方形成具有电子注入性的第二层;以及
第六工序,对执行所述第一工序至所述第五工序而形成的元件构造体进行通电处理,使来自所述第一层的空穴注入性降低。
2.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
在所述第三工序中,形成为所述树脂膜的厚度大于0nm且为4nm以下。
3.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
在所述第六工序中,对所述元件构造体进行所述通电处理,使得所述元件构造体的空穴注入性相对于执行通电处理前的所述元件构造体的空穴注入性,其空穴迁移率成为1/10以下。
4.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
在所述第六工序中,对于所述元件构造体,以大于0分钟且30分钟以内的通电时间进行通电处理,使得辉度成为实际使用时的辉度以上且其三倍以下。
5.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
所述第一工序包括:在基板的上方形成阳极的阳极形成工序;和在所述阳极的上方使用氧化钨形成空穴注入层的空穴注入层形成工序,
所述第一层构成为包括所述阳极和所述空穴注入层。
6.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
在所述第三工序中,在通过使所述堤材料层进行所述图案形成时所使用的显影液进行的显影处理中,通过所述显影液使所述第一层的一部分溶解,使所述第一层的功能层侧的表面的一部分相对于功能层侧的表面的其他部分凹陷而成为位于所述第一层侧的状态,
对所述第一层的所述凹陷的部分形成所述树脂膜。
7.根据权利要求5或6所述的有机发光元件的制造方法,
所述空穴注入层形成工序中,在将由氩气和氧气构成的气体作为溅射装置的溅射室内的气体来使用、所述气体的总压为大于2.7Pa且7.0Pa以下、氧气分压与总压之比为50%以上且70%以下、并且靶每单位面积的投入电力密度为1W/cm2以上且2.8W/cm2以下的成膜条件下,形成使用了氧化钨的所述空穴注入层。
8.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
在所述第二工序中,使用具有感光性树脂成分和氟成分的堤材料,
在所述第三工序中,使堤材料层部分曝光,使用显影液进行显影处理,由此进行图案形成而形成规定开口部的堤。
9.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
所述第五工序包括:在所述功能层的上方形成电子输送层的电子输送层形成工序、在所述电子注入输送层的上方形成阴极的阴极形成工序、以及在所述阴极的上方形成封止层的封止层形成工序,
所述第二层包括所述电子输送层、所述阴极以及所述封止层。
10.根据权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,
所述树脂膜覆盖所述第一层的整个表面而形成为层状,
所述功能层形成为与所述树脂膜接触。
11.一种有机发光装置,具有通过权利要求1~10中任一项所述的有机发光元件的制造方法得到的有机发光元件。
12.一种有机显示面板,具有通过权利要求1~10中任一项所述的有机发光元件的制造方法得到的有机发光元件。
13.一种有机显示装置,具有通过权利要求1~10中任一项所述的有机发光元件的制造方法得到的有机发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





