[发明专利]等离子体处理装置以及器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置以及器件的制造方法，特别涉及适合于制作微细结构的等离子体处理装置以及器件的制造方法，该微细结构用于构成各种电子元件、半导体集成电路元件、各种传感器、各种微型机械元件等器件。

背景技术

作为等离子体处理装置的一个例子，可举出有磁场感应耦合型的干蚀刻装置。这种干蚀刻装置是在放电容器内产生感应耦合型等离子体、利用该等离子体对配置在处理室内的基板的表面进行干蚀刻的装置(例如，参照专利文献1)。

放电容器由电介体形成，在其周围卷绕有线圈状的天线，该天线在减压条件下的放电容器内产生感应电场。自高频电源向天线供给电力。另外，在天线的外周配置有环状的电磁体，环状的电磁体与放电容器呈同心圆状。利用该电磁体所生成的发散磁场使在放电容器内生成的等离子体扩散到处理室内。

具有这样的电磁体的有磁场感应耦合型的干蚀刻装置能够高效率地使等离子体扩散到处理室内，能量转换效率高，另外，能够得到非常有用的加工特性。

专利文献1：日本特开2000-133498号公报

然而，在上述结构的干蚀刻装置中，存在如下问题：在放电容器的与处理室相反的一侧存在闭塞端部，该闭塞端部产生由等离子体引起的损坏。特别是由电磁体形成的发散磁场的磁力线集中在放电容器的中心轴线部而易于局部地产生损坏，产生材质变质等、严重时开孔而大气混入这样的问题。在此，所谓的损坏是指由等离子体引起的高能带电粒子的入射损坏、由该入射引起的发热及其热损坏等。

作为构成放电容器的电介体，使用高频损失少且加工特性优越的石英玻璃，但在上述的闭塞端部易于产生玻璃的结晶化(经常称为失透)、孔的开口。因此，存在高价的放电容器的更换周期变短这样的问题。

因此，为了使干蚀刻装置稳定运转，上述的损坏部分的改善成为了必须的课题。

发明内容

鉴于上述的情况，本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的器件的制造方法，该处理装置能够降低由在放电容器内发生的等离子体引起的损坏，从而能够使放电容器的更换周期延长。

针对上述的问题，人们想到将放电容器从电磁体的轴向中心离开规定距离以上的方法，但在此情况下，特别是在径向上远离电磁体的中心轴线的区域不能确保需要的磁场强度，所以不能充分地扩散等离子体。另外，往往会因未扩散的带电粒子导致内壁的腐蚀加快。针对于此，如本发明这样，设置突出部而使放电容器的内壁从由等离子体形成的带电粒子的聚集(focus)位置偏移，从而不降低扩散效率就能够提高放电容器的耐久性。

为了达成上述的目的而做成的本发明的技术方案如下所述。

即、本发明的等离子体处理装置的特征在于，其包括：处理室，其划分出处理空间；放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式开口，该筒体的另一端被闭塞；天线，其配置在上述放电容器的周围，用于使感应电场产生并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；磁体，其配置在上述放电容器的周围，用于在上述放电容器的内部形成发散磁场，上述放电容器的闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

另外，本发明的等离子体处理装置的特征在于，其包括：处理室，其划分出处理空间；放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式开口，该筒体的另一端被闭塞；天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；磁体，其具有被配置在上述放电容器的周围的线圈；遮蔽构件，其位于上述放电容器内，且至少配置在上述磁体的轴向中心的位置，用于对从上述磁体的轴向中心向与上述处理室相反的一侧的等离子体的扩散进行遮蔽。

另外，本发明的器件的制造方法是在放电容器的内部生成等离子体、利用磁体的发散磁场使等离子体发散到处理室的内部、从而对处理对象进行处理来制造器件的方法，其特征在于，当进行等离子体处理时配置上述放电容器，该放电容器在闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

采用本发明，因为放电容器的闭塞端部具有向处理室侧突出的突出部，所以能够降低由等离子体引起的放电容器的损坏，从而能够使放电容器的更换周期延长。

附图说明

图1是表示第1实施方式的干蚀刻装置的概略结构的图。

图2是表示放电容器的结构的剖视图。

图3是用于说明电磁体的结构的概略局部剖视图。

图4是表示电磁体与突出部的位置关系的图。

图5是将放电容器局部地分解而表示的剖视图。