[发明专利]等离子体处理装置以及器件的制造方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，

等离子体处理装置包括：

处理室，其用于划分出处理空间；

放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式被开口，该筒体的另一端被闭塞；

天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；

磁体，其配置在上述放电容器的周围，用于在上述放电容器的内部形成发散磁场；

上述放电容器的闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述磁体是具有被配置在放电容器周围的线圈的电磁体；

上述突出部向比上述磁体的轴向中心靠上述处理室的一侧突出。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述突出部的突出端与上述磁体的轴向中心之间的在轴向上的距离设定为20mm以上。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述突出部由与上述放电容器相同的材料或者不同的材料的电介体形成，以使上述放电容器的闭塞端部的壁厚增大的方式形成。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

等离子体处理装置具有用于冷却上述突出部的冷却机构。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于，

等离子体处理装置包括：

处理室，其用于划分出处理空间；

放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式被开口，该筒体的另一端被闭塞；

天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场，并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；

磁体，其具有在上述放电容器的周围配置的线圈；

遮蔽构件，其位于上述放电容器内，且至少配置在上述磁体的轴向中心的位置，用于对从上述磁体的轴向中心向与上述处理室相反的一侧的等离子体的扩散进行遮蔽。

7.一种器件的制造方法，其在放电容器的内部生成等离子体，利用磁体的发散磁场使等离子体向处理室的内部扩散，从而对处理对象进行处理来制造器件，其特征在于，

当进行等离子体处理时配置上述放电容器，该放电容器在闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

8.根据权利要求7所述的器件的制造方法，其特征在于，

上述等离子体处理是在上述处理室的内部利用等离子体对处理对象进行干蚀刻的处理。