[发明专利]改进的分析物传感器及其制造和使用方法

权利要求书

1.一种分析物传感器，包括：

衬底；

设置在所述衬底的至少一部分上的导电层；

设置在所述导电层上并且在其中具有空隙的电介质层；以及

设置在所述空隙内的感测层，其中，与所述导电层接触的所述感测层的区域，在一个传感器批号内，具有小于约5％的传感器间的变化系数。

2.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，在所述传感器批号内，所述变化系数为小于约3％。

3.根据权利要求1所述的分析物传感器，进一步包括设置在与所述导电层接触的所述感测层的区域上的膜，其中，所述膜具有限定的厚度，在所述传感器批号内，所述厚度具有小于约5％的传感器间的变化系数。

4.根据权利要求3所述的分析物传感器，其中，在所述传感器批号内，所述变化系数为小于约3％。

5.根据权利要求3所述的分析物传感器，其中，设置在与所述导电层接触的所述感测层的区域上的所述膜具有基本上均一的厚度。

6.根据权利要求3所述的分析物传感器，其中，设置在与所述导电层接触的所述感测层的区域上的所述膜具有基本上均匀的分布。

7.根据权利要求3所述的分析物传感器，其中，所述膜具有低透氧性。

8.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，与所述导电层接触的所述感测层的区域基本上限定所述传感器的有效区域。

9.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，所述空隙定位于所述导电层的远端部分上。

10.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，与所述感测层接触的所述导电层限定所述分析物传感器的工作电极的至少一部分。

11.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，所述导电层包括玻璃碳、石墨、银、氯化银、铂、钯、铂-铱、钛、金、或铱中的一种或多种。

12.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，所述电介质层包括光可成像的聚合材料。

13.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，所述电介质层包括设置在所述导电层上和所述衬底的至少一部分上的光可成像的膜。

14.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，所述空隙通过光刻工艺形成。

15.根据权利要求1所述的分析物传感器，进一步包括设置在所述空隙上的葡萄糖通量限制层、干扰层或生物相容性层中的一个或多个。

16.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，与所述导电层接触的所述感测层的区域为约0.01mm²～约1.0mm²。

17.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，与所述导电层接触的所述感测层的区域为约0.04mm²～约0.36mm²。

18.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，与所述衬底上的所述导电层接触的所述感测层的表面区域是基本上固定的。

19.根据权利要求1所述的分析物传感器，其中，形成在所述电介质层中的所述空隙的尺寸是基本上固定的。

20.一种分析物传感器，包括：

衬底，具有远端部分；

导电层，设置在所述衬底的远端部分的至少一部分上；

电介质层，设置在所述导电层上并且在其中具有空隙，使得所述空隙的位置与所述衬底的远端部分一致；以及

感测层，设置在所述空隙内，其中，与所述导电层接触的所述感测层的区域，在一个传感器批号内，具有小于约5％的传感器间的变化系数；

其中，在预定的时间段内，所述衬底的远端部分与间质液保持流体接触。

21.根据权利要求20所述的分析物传感器，其中，所述预定的时间段为约3天或更长时间。