[发明专利]用于提供在电化学传感器中内部校准的方法的装置有效

专利信息
申请号: 201080018107.9 申请日: 2010-03-10
公开(公告)号: CN102439431A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: J·A·杜姆斯特拉;L·莱纳德;G·G·维尔德古瑟;E·李 申请(专利权)人: 赛诺瓦系统股份有限公司
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈季壮
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 提供 电化学传感器 内部 校准 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于测量样品中的分析物用的电化学传感装置的多相分析物不敏感电极(AIE),所述AIE包括:

(a)电解质层;

(b)与电解质层电连接的导电组件;和

(c)能够进行电氧化和电还原中的至少一项的氧化还原活性材料,所述氧化还原活性材料分散在电解质层和导电组件的至少一种中。

2.权利要求1的AIE,其中电解质层选自:(i)包含阴离子化学类和阳离子化学类的离子液体(IL);(ii)包含氟有机液体和分散的电解质的氟相;(iii)包含有机液体和分散的电解质的有机相;和(iv)包含水和分散的电解质的水相。

3.权利要求2的AIE,其中电解质层是离子液体(IL)。

4.权利要求3的AIE,其中IL是室温离子液体(RTIL)。

5.权利要求1的AIE,其中氧化还原活性材料选自氧化还原活性有机分子、氧化还原活性聚合物、金属络合物、有机金属类、金属、金属盐或半导体,并且其中氧化还原活性材料经历一个或多个电子转移过程。

6.权利要求5的AIE,其中氧化还原活性材料选自正丁基二茂铁、银纳米颗粒涂覆的玻璃碳、二茂铁、聚乙烯基二茂铁、NiHCF、二茂铁苯乙烯共聚物、二茂铁苯乙烯交联共聚物、Ni环胺和K4Fe(CN)6,蒽醌(AQ)、蒽、9,10-菲醌(PAQ)、1,4-苯醌、1,2-苯醌、1,4-萘醌、1,2-萘醌、N,N’-二苯基-对-亚苯基二胺(DPPD)、含偶氮的化合物、偶氮苯及其衍生物、卟啉及其衍生物、八乙基卟啉、四苯基卟啉、金属卟啉及其衍生物、氯高铁血红素、八乙基卟啉铁、四苯基卟啉铁,和紫罗碱及其衍生物、和甲基紫罗碱。

7.权利要求6的AIE,其中氧化还原活性材料是正丁基二茂铁。

8.权利要求1的AIE,其中导电组件包括选自以下的导电材料:碳同素异形体及其衍生物、过渡金属及其衍生物、后过渡金属及其衍生物、导电金属合金及其衍生物、硅及其衍生物、导电聚合化合物及其衍生物、和半导体材料及其衍生物。

9.权利要求1的AIE,其中导电组件进一步包括包含粘合剂和导电材料的复合材料。

10.权利要求9的AIE,其中导电材料包括石墨、玻璃碳、多壁碳纳米管(MWCNT)、单壁纳米管(SWNT)、硼掺杂的金刚石的至少一种,及它们的任意组合。

11.权利要求10的AIE,其中复合材料进一步包括氧化还原活性材料。

12.权利要求11的AIE,其中氧化还原活性材料是正丁基二茂铁。

13.权利要求8的AIE,其中导电组件选自包含铂、金和汞的金属。

14.权利要求1的AIE,进一步包括:

(d)放置为使得介于电解质层与样品之间的导电物理屏障,当电极与样品接触时其使电解质层与样品物理分离。

15.权利要求14的AIE,其中导电物理屏障选择性地不透过样品中的分析物或非分析物类或者两者。

16.权利要求14的AIE,其中导电物理屏障选自多孔釉料、膜、微孔隔膜,和包含IL于聚合物或无机材料中的固体溶液的非多孔隔膜。

17.权利要求14的AIE,其中电解质层是室温离子液体(RTIL)N-丁基-N-甲基吡咯烷双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺([C4mpyrr][N(Tf)2]);导电组件由多壁碳纳米管、石墨和环氧化物组成;氧化还原活性材料(RAM)是正丁基二茂铁;且导电屏障层是直接接触RTIL并且因此被RTIL饱和的聚醚砜隔膜。

18.权利要求14的AIE,进一步包括:

(e)与第一电解质层相邻并且与第一电解质层基本不混溶的第二电解质相,其中第二电解质相介于导电组件与第一电解质层之间,并且与第一电解质层和导电组件电连接。

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