[发明专利]感光性树脂组合物、使用其的感光性元件、抗蚀图形的形成方法和印刷线路板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201080017169.8 申请日: 2010-04-26
公开(公告)号: CN102395924A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 宫坂昌宏;锻治诚;印杰;姜学松;孙利达 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社;上海交通大学
主分类号: G03F7/031 分类号: G03F7/031;C07D241/42;C08F2/50;C08F220/06;G03F7/004;G03F7/033;H05K3/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金鲜英;刘强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 感光性 树脂 组合 使用 元件 图形 形成 方法 印刷 线路板 制造
【说明书】:

技术领域

本发明涉及感光性树脂组合物、使用其的感光性元件、抗蚀图形的形成方法和印刷线路板的制造方法。

背景技术

在印刷线路板、等离子体显示器用布线板、液晶显示器用布线板、大规模集成电路、薄型晶体管、半导体封装等微电子电路的制造领域中,作为蚀刻、镀敷等中使用的抗蚀剂材料,广泛使用感光性树脂组合物、感光性元件(层叠体)。

微电子电路例如如下所述进行制造。首先,将感光性元件的感光性树脂组合物层层叠(层压)在电路形成用基板上。接着,剥离除去支撑膜后,对感光性树脂组合物层的规定部分照射活性光线,使曝光部固化。然后,将未曝光部从基板上除去(显影),从而在基板上形成由感光性树脂组合物的固化物构成的抗蚀图形。对获得的抗蚀图形实施蚀刻处理或镀敷处理而在基板上形成电路后,最终剥离除去抗蚀剂,制造微电子电路。

作为上述曝光的方法,一直以来使用将以波长365nm为中心的汞灯作为光源、隔着光掩模进行曝光的方法。此外,近年来提出了以波长405nm的长寿命且高输出功率的氮化镓系半导体蓝色激光、波长355nm的固体激光为光源,将图形的数字数据直接描画在感光性树脂组合物层上的直接描画曝光法(例如,参照非专利文献1)。被称为DLP(Digital Light Processing,数字光学处理)、LDI(Laser Direct Imaging,激光直接成像)的这些直接描画曝光法,与隔着光掩模的曝光法相比位置对齐精度更良好,且能够获得高精细的图形,因此为了制作高密度封装基板,正在导入这种技术。

此外,也在对适合于激光曝光的感光性材料进行研究。例如,作为以半导体蓝紫色激光为光源时使用的感光性材料,专利文献1、2中公开了使用了特定引发剂的感光性树脂组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2002-296764号公报

专利文献2:日本特开2004-45596号公报

非专利文献

非专利文献1:エレクトロニクス実装技術2002年6月号(p.74~79)

发明内容

发明要解决的问题

然而,在曝光工序中,为了提高生产效率,需要尽量缩短曝光时间。但是,上述直接描画曝光法中,由于光源使用的是激光等单色光,此外边扫描基板边照射光线,因此与目前的隔着光掩模的曝光方法相比,存在需要较长曝光时间的倾向。因此,与现有技术相比,需要提高感光性树脂组合物的灵敏度。

另一方面,随着近年来印刷线路板的高密度化,对感光性树脂组合物而言,对高析像性和高密合性的要求也不断提高。进而,随着布线的微细化,电源线的电阻所致的电压降低问题也更显著,形成厚度为10μm以上的镀敷层(导体层)已成为一个课题。为了形成厚度为10μm以上的镀敷层,抗蚀剂必须形成15μm以上的膜厚,但通常感光层的膜厚变厚则存在析像性下降的倾向。因此,需要一种能够满足膜厚和析像性这两种特性的感光性树脂组合物。

此外,感光性树脂组合物对镀敷的污染性低也很重要。若感光性树脂组合物污染了镀敷浴,则存在实施了镀敷处理的基板外观产生变色或镀敷形成性下降而导致断线等问题。

进而,对感光性树脂组合物,还要求镀敷后的抗蚀剂的剥离特性优异。当剥离特性不充分时,在镀敷处理后的抗蚀剂剥离工序中,剥离微细的布线间的抗蚀剂变得困难,剥离时间增加,生产效率下降。此外,存在布线间产生剥离残渣、成品率下降等问题。

因此,本发明的目的在于提供对波长350~410nm的光的灵敏度、析像性、密合性、剥离特性和镀敷形成性优异且对镀敷的污染性低的感光性树脂组合物、使用其的感光性元件、抗蚀图形的形成方法和印刷线路板的制造方法。

解决问题的方法

本发明提供一种感光性树脂组合物,其含有粘合剂聚合物、具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和选自由具有下述式(1)、(2)或(3)所示的结构的化合物组成的组中的至少1种吡嗪化合物。

[化学式1]

式(1)中,R1、R2、R3和R4各自独立地表示包含烷基、环烷基、苯基、萘基或杂环式基的1价有机基团,R1和R2、或R3和R4可以相互结合而与吡嗪骨架的2个碳原子一起形成环。

[化学式2]

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成工业株式会社;上海交通大学,未经日立化成工业株式会社;上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080017169.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top