[发明专利]IC封装的引线框架和制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年4月3日提交的美国临时申请No.61/166,547和2009年7月17日提交的临时申请No.61/226,361的利益，这两个申请特此通过引用并入。

背景

技术领域

本专利申请通常涉及集成电路(IC)封装技术，且特别但不是作为限制涉及IC封装的引线框架及其制造方法。

背景

IC封装是涉及IC设备的制造的最终阶段之一。在IC封装期间，一个或多个IC芯片被安装在封装衬底上、连接到电触头、并接着涂有包括电绝缘体例如环氧树脂或硅树脂模塑化合物的封装材料。所产生的IC封装可接着被安装到印刷电路板(PCB)上和/或连接到其它电部件。

常常，IC封装可包括电触头而不是外部引线，其中电触头由封装材料覆盖在顶部上，并在IC封装的底部上被暴露，所以它们可连接到位于IC封装之下的电部件。常常，使用金属引线框架来形成IC封装的部分可能比使用层压板或带材料更成本有效，因为例如可使用更成本有效的材料，例如铜、镍或其它金属或金属合金，且这样的材料的使用可允许使用更成本有效的制造工艺，例如压印或蚀刻，而不是多步骤层压工艺。

概述

在本申请中公开的各种实施方案设想用在具有高密度触头的集成电路(IC)封装中的部分蚀刻和选择性地电镀的引线框架及制造方法。本发明的上面概述并不用来表示本发明的每个实施方案或每个方面。

附图简述

当结合附图理解时，通过参考下面的详细描述可获得对本发明的各种实施方案的更彻底的理解。

图1A-E示出在制造过程的不同阶段的无引线IC封装的实施方案的方面；

图2A-B是金属引线框架的实施方案的两个视图，该金属引线框架具有在其顶表面上形成的多个金属迹线；

图3A-B是引线框架的实施方案的顶视图和底视图，该引线框架具有两行键合区和多行接触区；

图4A-B示出部分蚀刻和选择性地电镀的引线框架的实施方案的不同方面；

图5示出部分蚀刻的引线框架的示例性实施方案，该引线框架具有将键合区耦合到接触区的多个金属迹线；

图6A-C示出用在无引线的IC封装中的部分蚀刻的引线框架的各种实施方案的顶视图；

图7是用于制造部分蚀刻的引线框架的过程的实施方案的流程图；以及

图8示出在形成多个部分蚀刻的引线框架中使用的引线框架条的实施方案。

示例性实施方案的详细描述

现在将参考附图更充分地描述本发明的各种实施方案。然而，本发明可以体现在很多不同的形式中，且不应被解释为限于本文阐述的实施方案；更确切地，提供了实施方案，使得本公开将是彻底和完全的且将本公开的范围充分传达到本领域的技术人员。

现在参考图1A-E，示出了在制造过程的不同阶段的IC封装的实施方案的横截面侧视图。为了描述的目的，关于单个IC封装描述了制造过程，但如将在下文更详细地描述的，制造过程的步骤可适用于布置在引线框架条上的多个设备区的一些或全部。现在参考图1A，该过程以未蚀刻的引线框100例如具有通常平坦的顶表面和底表面的金属条开始。制造商常常可接收对IC封装的设计标准，例如待安装到引线框架的IC芯片的尺寸和待布置在引线框架的顶表面上的键合区的数量。该设计标准还可包括待布置在引线框架的底表面上的接触区的尺寸和位置。接触区之间的距离或间距可取决于IC封装将安装到的电子部件例如PCB的最低要求。在图1B中，引线框架100被部分蚀刻在顶表面上以产生限定其上的金属迹线122的凹槽126。在所示实施方案中，金属镀层被添加到布置在金属迹线122的顶表面上的键合区118和布置在金属迹线122的底表面上的接触区106。键合区118和接触区106的金属镀层可通过将可粘接或可焊接的材料例如电镀或包层金属如银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)或其它可粘接的材料涂敷到金属迹线122来形成。在各种实施方案中，引线框架100的顶表面的蚀刻可在第一地点例如制造厂完成，而其余步骤可在例如制造厂的不同区域或不同的制造厂完成。在这样的实施方案中，通过部分蚀刻引线框架100，金属迹线122比如果引线框架100被自始至终蚀刻穿更稳定，且更不可能移动。