[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201080014267.6 申请日: 2010-04-05
公开(公告)号: CN102365764A 公开(公告)日: 2012-02-29
发明(设计)人: 阿部修 申请(专利权)人: 岩谷产业株式会社
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L23/50;H01L31/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,

具备:具有搭载半导体元件的搭载面的搭载部、具有在所述半导体元 件的周围反射光的反射面的反射部、具有用于将热散热的散热面的散热 部,

所述搭载部、反射部及散热部由金属一体形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

与所述搭载部及反射部形成一体的散热部的散热面,兼作向安装半导 体装置的安装面进行安装的安装面。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

与所述搭载部及反射部成一体的散热部兼作在安装半导体装置时与 外部电连接的电连接部。

4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述搭载部和反射部形成为,从搭载面到反射面的面以搭载面为底面 而向上扩宽状地形成反射面,

所述搭载部的搭载面的相反侧的面与所述散热部的散热面为同一平 面,并作为第二散热面发挥功能。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

与将所述搭载部、反射部及散热部形成为一体的第一基体另体具备经 由配线导体与所述半导体元件电连接的第二基体,

所述第二基体的配线导体的连接部被配置于比形成为向上扩宽状的 反射面的上端部更高的位置。

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