[发明专利]用于提供半导体存储器装置的技术

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

多个存储器单元，其布置成行与列的阵列，每一存储器单元具有：

第一区，其连接到在第一定向上延伸的源极线；

第二区，其连接到在第二定向上延伸的位线；

主体区，其与字线间隔开且电容性耦合到所述字线，其中所述主体区为电浮动 的且安置在所述第一区与所述第二区之间；

第一势垒壁，其在所述阵列的所述第一定向上延伸；及

第二势垒壁，其在所述阵列的所述第二定向上延伸且与所述第一势垒壁相交以形成 经配置以容纳所述多个存储器单元中的每一者的沟槽区。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一区及所述第二区为N 掺杂区。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述主体区为P掺杂区。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述主体区为未经掺杂区。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一势垒壁及所述第二势 垒壁由绝缘氧化物材料形成。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一势垒壁及所述第二势 垒壁形成于P型衬底上。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线沿所述主体区的一侧 而安置。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线的高度类似于所述主 体区的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线邻近于所述主体区的 一侧及所述第一区的至少一部分的一侧而安置。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线沿所述主体区的一侧 及所述第二区的至少一部分的一侧而安置。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线沿所述主体区的一侧、 所述第一区的一侧的至少一部分及所述第二区的一侧的至少一部分而安置。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线的高度短于所述主体 区的高度。

13.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线具有矩形横截面形状。

14.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线具有U形横截面形状。

15.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线具有L形横截面形状。

16.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线电容性耦合到多个所 述主体区。

17.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线耦合到恒定电压电位。

18.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述字线耦合到接地电压电位。

19.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述存储器单元阵列包括分离 所述存储器单元的邻近行的虚拟存储器单元行。

20.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述源极线在配置于所述第一 区下面的平面中的所述第一定向上延伸。

21.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述位线在配置于所述第二区 上面的平面中的所述第二定向上延伸。

22.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，其中所述位线经由位线接触件连 接到所述第二区。