[发明专利]数据保持二次调压器

说明书

本申请案主张D.C.塞申斯(D.C.Sessions)的2009年6月10日申请的标题为“数 据保持二次调压器(Data Retention Secondary Voltage Regulator)”的共同拥有的第 61/185,627号美国临时专利申请案的优先权，且所述美国临时专利申请案出于所有目的 而以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及集成电路装置电压调节，且更明确地说，本发明涉及一种与一次调压器 并联并在一次调压器断开时起作用的低功率二次调压器。可在集成电路装置处于睡眠模 式中且用以保持在集成电路装置返回到操作模式时将会需要的信息的电路需要经调节 电压时，使用二次调压器。

背景技术

在集成电路装置处于睡眠模式中时，必须以最小的功率消耗将电力供应给保持数据 且/或对数据进行操作的电路。这些电路得到供电以便在集成电路装置的其它电路处于低 功率睡眠模式时保持数据。另外，可在最低功率消耗的情况下将最小动态功率供应给在 睡眠模式期间对数据进行操作(例如，实时时钟和日历(RTCC))的电路。

具有精确电压调节(例如，带隙电压参考和相关联的调压器电路)的一次调压器需 要大量电力，这在以电池操作的装置进入低功率睡眠模式中却仍必须维持一些电路上的 电压以便保持数据/对数据进行操作时是不合意的。

发明内容

所需要的是一种在集成电路装置的其它电路处于睡眠模式中时向集成电路装置中 的需要用于数据保持的电力和/或用于持续操作(例如(但不限于)，实时时钟和日历 (RTCC))的最小动态功率的那些电路供应必要的经调节电压的方式。

根据本发明的一具体实例性实施例，一种用于在集成电路装置低功率睡眠模式期间 向要求用来维持数据和/或进行操作的电路供应操作电压的低功率调压器包括：第一恒定 电流源，其连接到电源电压源；第一N沟道场效应晶体管(FET)，其具有源极、漏极 和栅极，其中第一N沟道FET的漏极连接到电源电压，第一N沟道FET的栅极连接到 第一恒定电流源，且第一恒定电流源连接在第一N沟道FET的栅极与漏极之间；第二N 沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，其中第二N沟道FET的漏极连接到第一N沟道 FET的栅极和第一恒定电流源，且第二N沟道FET的源极连接到共用电源电压；第二 恒定电流源，其连接到共用电源电压和第二N沟道FET的栅极；第一P沟道FET，其 具有源极、漏极和栅极，其中第一P沟道FET的漏极和栅极连接到第二N沟道FET的 栅极和第二恒定电流源，且第一P沟道FET的源极连接到第一N沟道FET的源极；第 一和第二N沟道FET、第一P沟道FET以及第一和第二恒定电流源包括具有输出的低 功率二次调压器，其中所述输出是第一P沟道FET和第一N沟道FET的连接的源极； 以及集成电路装置的维持的电压核心逻辑，其连接到低功率二次调压器的输出。低功率 调压器可进一步包括：第二P沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，其中第二P沟道 FET的漏极连接到第一N沟道FET和第一P沟道FET的源极，第二P沟道FET的栅极 连接到第二N沟道FET的漏极和第一恒定电流源，且第二P沟道FET的源极连接到来 自一次调压器的输出；其中维持的电压核心逻辑在集成电路装置处于操作模式中时通过 第二P沟道FET而耦合到一次调压器且从一次调压器接收其操作电压；且其中维持的电 压核心逻辑在集成电路装置处于低功率备用睡眠模式中时从低功率二次调压器的输出 接收其操作电压。