[发明专利]数据保持二次调压器

权利要求书

1.一种低功率调压器，其用于在集成电路装置低功率睡眠模式期间向维持数据和/或 进行操作所需的电路供应操作电压，所述低功率调压器包括：

第一恒定电流源，其连接到电源电压源；

第一N沟道场效应晶体管FET，其具有源极、漏极和栅极，

其中所述第一N沟道FET的所述漏极连接到所述电源电压，所述第一N沟道 FET的所述栅极连接到所述第一恒定电流源，且所述第一恒定电流源连接在所述 第一N沟道FET的所述栅极与漏极之间；

第二N沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，

其中所述第二N沟道FET的所述漏极连接到所述第一N沟道FET的所述栅极 和所述第一恒定电流源，且所述第二N沟道FET的所述源极连接到共用电源电 压；

第二恒定电流源，其连接到所述共用电源电压和所述第二N沟道FET的所述栅 极；

第一P沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，

其中所述第一P沟道FET的所述漏极和栅极连接到所述第二N沟道FET的所 述栅极和所述第二恒定电流源，且所述第一P沟道FET的所述源极连接到所述 第一N沟道FET的所述源极；

所述第一和第二N沟道FET、所述第一P沟道FET以及所述第一和第二恒定电 流源构成具有输出的低功率二次调压器，其中所述输出是所述第一P沟道FET和 所述第一N沟道FET的所述所连接的源极；以及

集成电路装置的维持的电压核心逻辑，其连接到所述低功率二次调压器的所述输 出。

2.根据权利要求1所述的低功率调压器，其进一步包括：

第二P沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，

其中所述第二P沟道FET的所述漏极连接到所述第一N沟道FET和第一P沟 道FET的所述源极，所述第二P沟道FET的所述栅极连接到所述第二N沟道FET 的所述漏极和所述第一恒定电流源，且所述第二P沟道FET的所述源极连接到 来自一次调压器的输出；

其中所述维持的电压核心逻辑在所述集成电路装置处于操作模式中时通过所述 第二P沟道FET而耦合到所述一次调压器且从所述一次调压器接收其操作电压； 且

其中所述维持的电压核心逻辑在所述集成电路装置处于低功率备用睡眠模式中 时从所述低功率二次调压器的所述输出接收其操作电压。

3.根据权利要求1所述的低功率调压器，其中供应给所述维持的电压核心逻辑的电压 是所述第一P沟道FET和所述第二N沟道FET的阈值电压的总和。

4.根据权利要求2所述的低功率调压器，其中在所述集成电路装置处于所述低功率备 用睡眠模式中时供应给所述维持的电压核心逻辑的电压是所述第一P沟道FET和 所述第二N沟道FET的阈值电压的总和。

5.根据权利要求2所述的低功率调压器，其中在所述集成电路装置处于所述低功率备 用睡眠模式中且没有供应来自所述一次调压器的电压时，通过所述第二N沟道FET 的电流大体上等于来自所述第一恒定电流源的电流。

6.根据权利要求5所述的低功率调压器，其中在没有供应来自所述一次调压器的电压 时，所述第二P沟道FET断开，且所述第一N沟道FET向所述维持的电压核心逻 辑供应操作电流。