[发明专利]在衬底上形成图案的方法有效
申请号: | 201080013110.1 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN102362334A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 形成 图案 方法 | ||
1.一种在衬底上形成图案的方法,其包含:
在衬底上方形成间隔开的第一特征,所述间隔开的第一特征包含相对横向侧壁;
将材料形成到所述间隔开的第一特征的所述相对横向侧壁上,所述材料的经接纳抵 靠在所述相对横向侧壁中的每一者上的部分的组成不同于所述相对横向侧壁中的每一 者的组成;和
使所述材料的所述部分和所述间隔开的第一特征中的至少一者致密化以使所述至 少一者横向移动远离所述至少一者的另一者,以在所述相对横向侧壁中的每一者与所述 材料的所述部分之间形成空隙空间。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述间隔开的第一特征和所述材料中的至少 一者包含光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述间隔开的第一特征和所述材料两者均包 含光致抗蚀剂。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述间隔开的第一特征和所述材料中的任一 者均不包含光致抗蚀剂。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述致密化和所述移动仅针对一者。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述致密化和所述移动是针对所述间隔开的 第一特征。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述致密化和所述移动是针对所述材料。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述另一者扩展以减小其密度并朝向所述一 者移动。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述致密化和所述移动是针对所述一者和所 述另一者两者。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述致密化包含加热。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述致密化是在不存在蚀刻的情况下进行。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述致密化包含光化辐照。
13.根据权利要求1所述的方法,其中在剖面中用所述材料沿立面向外密封初始形 成之后的所述空隙空间。
14.根据权利要求13所述的方法,其包含移除所述材料中的一些材料以在所述空 隙空间初始形成之后沿立面向外敞开所述空隙空间并形成分离的间隔开的第二特征,所 述间隔开的第二特征与所述间隔开的第一特征间隔开且交替。
15.根据权利要求1所述的方法,其中初始形成之后的所述空隙空间在剖面中是沿 立面向外敞开的。
16.根据权利要求1所述的方法,其中在所述致密化期间将所述材料接纳于所述间 隔开的第一特征的沿立面最外的表面上方。
17.根据权利要求1所述的方法,其中在所述致密化期间不将所述材料接纳于所述 间隔开的第一特征的沿立面最外的表面上方。
18.根据权利要求1所述的方法,其中在所述致密化期间不将材料接纳于所述间隔 开的第一特征的沿立面最外的表面上方。
19.根据权利要求1所述的方法,其包含在所述致密化之后经由包含所述间隔开的 第一特征和所述材料的掩模图案处理所述衬底。
20.根据权利要求1所述的方法,其包含:
在所述致密化之后,在所述材料的横向侧壁上方和所述第一特征的所述相对横向侧 壁上方形成间隔开的间隔件;
相对于所述间隔开的间隔件从所述衬底选择性地移除所述材料和所述第一特征;和
在所述移除之后,经由包含所述间隔开的间隔件的掩模图案处理所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造