[发明专利]纳米压印用固化性组合物及固化物无效
申请号: | 201080012610.3 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102362333A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 三宅弘人;汤川隆生;伊吉就三 | 申请(专利权)人: | 大赛璐化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张永新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 压印 固化 组合 | ||
技术领域
本发明涉及在显微光刻法领域,特别适用于采用纳米压印技术来制造微 细构造物的纳米压印用固化性组合物、其固化物、使用上述纳米压印用固化 性组合物的微细构造物的制造方法、以及通过该制造方法得到的微细构造 物。
背景技术
需要达到低于1μm范围的分辨率的电子部件的小型化已基本上可通过 光刻技术实现。对于更精确的分辨率,正通过以曝光波长短的ArF为光源的 液体浸渍技术的发展得以实现,但形成32nm以下线宽的技术所存在的依赖 于树脂物性的刻线边缘粗糙度等问题已逐渐突显出来。另一方面,由于要满 足对于分辨率、壁面倾斜以及纵横比(分辨率相对于高度的比)的越来越高的 要求,因而会导致掩模、掩模对准机及步进曝光机(stepper)等光刻用装置的 成本急剧增加。特别是,最新的步进曝光机的价格极为高昂,因此会导致微 芯片整体制造成本升高的结果。另外,还进行了关于使用电子线及X射线 等短波长放射线来谋求精细化的研究,但这在批量生产上残留有诸多问题。
一般地,对于液晶显示器而言,为了获得优异的可视角及亮度,要使用 由导光版、棱镜片、偏振片、防反射膜等构成的多功能性膜。然而,为了获 得这些功能,需要对热塑性树脂进行加热使其温度达到Tg附近,经过图案 转印后再返至室温从而将模具剥离,而这在处理能力(throughput)方面存在问 题。与此相对,在涂布法的热压印中,容易实现更低温下的固化,因而可实 现处理能力的改善。UV纳米压印法(UV-NIL)是于室温将液态的光固化性树 脂涂布在基板上之后,将透光性模具压在树脂上,通过照射紫外线(UV)使基 板上的树脂固化从而形成图案的技术,由于该技术可以实现室温下的图案转 印,因此可期待(i)高处理能力、(ii)高精细图案转印等。然而,由于提供给 UV固化可使液态的UV-NIL材料成为不溶于溶剂的固体,因此在实施微细 加工时,会出现污染高昂的模具的情况、很难实现模具的再生。
作为在膜上形成微细凹凸图案的方法,美国专利第5,772,905号说明书 中公开了下述方法:利用具有浮凸(relief)的刚性压模(stamp)对附着于基板(晶 片)的整个表面的由热塑性树脂形成的抗蚀剂实施热塑性变形的纳米压印方 法。该方法中,作为热压印用抗蚀剂,使用了热塑性树脂(聚甲基丙烯酸甲 酯,PMMA),但由于在整个晶片表面通常存在约100nm的厚度的变化幅度, 因此很难使用刚性压模通过1个工序将6、8及12英寸晶片结构化。为此, 已考虑采用更为繁琐的“分步重复”法(step and repeat)作为图案形成法。 然而,该方法要对已经结构化的相邻区域进行再加热,因此就制造工序而言 并不适宜。
日本特开2007-186570号公报中,作为利用UV纳米压印法形成微细图 案的方法,公开了使用含有具有脂环族官能团的(甲基)丙烯酸酯单体的耐干 式蚀刻性优异的组合物的方法。然而该方法存在的问题是:模具污染时,会 因多官能单体发生三维固化而导致无法将固化物从模具除去。
日本特开2007-1250号公报中,作为利用纳米压印法形成微细图案的方 法,报道了使用含氟聚合物来提高模具剥离性的实例。尽管通过该方法可降 低模具污染的频率,但尚未达到充分水平,在发生模具污染时进行固化物除 去方面存在严重问题。
另一方面,通过使用碱显影型抗蚀剂进行压印,可实现模具的再生。但 就碱显影型抗蚀剂而言,由于树脂并不能完全溶解于碱中,处于悬浮状态, 尽管可有效进行剥离等操作,但很难使所述抗蚀剂从微细图案溶解除去。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第5,772,905号说明书
专利文献2:日本特开2007-186570号公报
专利文献3:日本特开2007-1250号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种纳米压印用固化性组合物、其固化物、使用 该纳米压印用固化性组合物的微细构造物的制造方法、以及通过该制造方法 得到的微细构造物,所述纳米压印用固化性组合物具有充分的固化性及固化 物的模具剥离性(例如,从转印压模、主模、作为被转印物的复制模具等模 具上的剥离性),显示出优异的转印性,并且可根据需要利用有机溶剂或碱 水将固化物溶解除去。
解决问题的方法
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造