[发明专利]磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质的检查方法、磁记录介质、以及磁记录再生装置。

本申请基于2009年3月18日在日本申请的特愿2009-66736号要求优先权，其内容引入本文。

背景技术

现在，关于磁记录再生装置的记录密度，400G比特/平方英寸被实用化，而且认为今后要继续提高磁记录再生装置的记录密度。而且，为了提高磁记录再生装置的记录密度，进行了适合高记录密度的磁记录介质的开发。作为这样的磁记录介质，下述构成成为主流：通过溅射法等在磁记录介质用的基板上叠层记录层等之后，在该记录层上形成碳等的保护膜，进而在保护膜上涂布液体的润滑剂。

在上述构成中，保护层具有保护记录于记录层的信息并且提高磁头的滑动性的效果，具有被覆记录层而防止记录层所包含的金属被环境污染物质腐蚀的作用。然而，如果仅设置保护层，则磁记录介质的保护不充分。因此，在保护层的表面涂布厚度为0.5～3nm左右的润滑剂而形成润滑剂层，从而改善保护层的耐久性、保护力。这样，通过设置润滑剂层，可以防止磁头(磁头滑块)与保护层直接接触，并且可以使在磁记录介质上滑动的磁头(磁头滑块)的摩擦力显著降低，而且可以防止污染物质侵入磁记录介质内部。

这里，作为润滑剂，以往提出了全氟聚醚系润滑剂、脂肪族烃系润滑剂等。例如，在专利文献1中公开了，涂布有具有HOCH₂-CF₂O-(C₂F₄O)p-(CF₂O)q-CH₂OH(p、q为整数。)结构的全氟烷基聚醚的润滑剂的磁记录介质。此外，在专利文献2中公开了，涂布有具有HOCH₂CH(OH)-CH₂OCH₂CF₂O-(C₂F₄O)p-(CF₂O)q-CF₂CH₂OCH₂-CH(OH)CH₂OH(p、q为整数。)结构的全氟烷基聚醚(四醇)的润滑剂的磁记录介质。此外，在专利文献3中公开了，具有选自(-CF₂O-)或(-CF₂CF₂O-)的全氟氧亚烷基单元、和磷腈化合物的磁记录介质用途的润滑剂。

另一方面，为了提高磁记录再生装置的记录密度，有必要使磁头的上浮量进一步减小，使磁头更靠近磁记录介质的表面。

可是，一直以来，存在在磁记录介质的表面往往存在离子性污染物质这样的问题。该离子性污染物质大部分是在磁记录介质的制造工序中从外部(例如，周围环境或磁记录介质的操作)附着的。此外，在硬盘驱动器内部使用时，环境污染物质侵入并附着于驱动器内部。例如，在将磁记录介质或硬盘驱动器保持在高温高湿条件下的情况下，在磁记录介质的表面会附着包含离子等的环境物质的水等。该包含离子等的环境物质的水穿过润滑剂层，使存在于润滑剂层之下的微少离子成分凝结，从而产生离子性污染物质。

在这样的污染物质存在于磁记录介质上的情况下，即使在污染物质小的情况下，如果使磁头更靠近磁记录介质的表面，则磁头容易与污染物质接触，在磁头上附着(转印)污染物。而且，如果磁头附着(转印)污染物质，则磁头的记录再生特性降低，并且磁头的上浮稳定性被破坏，进而发生使磁头破坏的情况。此外，在离子性污染物质的情况下，成为在保护膜的微小缺陷部分(针孔)引起记录层的腐蚀反应的原因。因此，在磁记录介质制造时和在驱动器内使用时，有必要除去或防止产生这样的污染物质。

为了除去污染物质，例如，在专利文献4中公开了如下方法：用纯水擦洗形成有保护膜的磁记录介质的表面，除去附着于磁记录介质表面的甲酸根离子、草酸根离子、铵离子、或其它离子盐类(SO₄^2-、NO₃^-、Na⁺)，然后在磁记录介质的表面涂布润滑剂。

润滑剂层一般如下形成：使氟树脂系润滑剂溶解或分散在氟系溶剂中，调制包含润滑剂的溶液，然后将其涂布在保护层上而形成。作为涂布方法，有旋转涂布法、浸渍法等。例如，在浸渍法中，在放入润滑剂浸渍槽中的包含润滑剂的溶液中浸渍磁记录介质之后，以规定的速度从润滑剂浸渍槽提升磁记录介质而在磁记录介质表面形成均匀膜厚的润滑剂层。