[发明专利]磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置无效
申请号: | 201080012020.0 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102356431A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 加藤顺也;丸山良彦 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 检查 方法 以及 再生 装置 | ||
1.一种磁记录介质的检查方法,是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质的检查方法,
其特征在于,将所述磁记录介质曝露于包含硅氧烷的气氛,
根据所述硅氧烷在所述磁记录介质的表面的附着量来检查该磁记录介质对环境物质的耐性。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的检查方法,其特征在于,使所述磁记录介质一边旋转,一边曝露于所述包含硅氧烷的气氛。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的检查方法,其特征在于,所述硅氧烷是八甲基环四硅氧烷。
4.一种磁记录介质,是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质,
其特征在于,所述润滑剂层含有骨架中具有极性大的官能团的化合物,所述官能团与所述保护层的表面的官能团结合,
使所述磁记录介质以2000rpm以上的速度旋转、在包含八甲基环四硅氧烷的空气中在大气压下曝露8小时后的、该磁记录介质的表面的硅氧烷的附着量为曝露前的1.5倍以下。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质,其特征在于,所述润滑剂层包含单独的或2种以上的选自下述通式(1)~(5)中的化合物,
其中,在上述通式(1)~(4)中,其结构中具有至少1个以上(A)或(B)所示的末端官能团结构,
此外,在上述通式(5)中,x为1~5的整数,R1为氢原子、碳原子数1~4的烷基、或碳原子数1~4的卤代烷基的任一种,R2是末端基团为-CH2OH或-CH(OH)CH2OH的全氟聚醚链;这里,R2的全氟聚醚链包含(CF2CF2O)、(CF2O)、(CF2CF2CF2O)中的至少1个以上作为重复单元。
6.根据权利要求4或5所述的磁记录介质,其特征在于,所述保护层包含碳膜。
7.一种磁记录再生装置,其特征在于,具备:
权利要求4~6的任一项所述的磁记录介质,
沿记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部,
在所述磁记录介质上进行信息的记录再生的磁头,
将所述磁头移动到所述磁记录介质上的头移动部,
进行来自所述磁头的记录再生信号的处理的记录再生信号处理部。
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