[发明专利]半导体薄片外观检查装置的检查条件数据生成方法以及检查系统有效
申请号: | 201080011823.4 | 申请日: | 2010-03-01 |
公开(公告)号: | CN102349142A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 大美英一;山本比佐史 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/956 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 吴京顺;任晓航 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 薄片 外观 检查 装置 条件 数据 生成 方法 以及 系统 | ||
技术领域
本发明涉及半导体薄片进行外观检查装置的检查条件数据生成方法以及检查系统。
背景技术
在被称之为半导体薄片的基板上,层压形成几层的电路图案,由此制造半导体芯片。在该半导体芯片的制造过程中,形成电路图案和检查交替进行规定次数,然后从薄片以规定尺寸切下半导体芯片,由此完成半导体芯片的制造。在该电路图案形成过程中,利用半导体薄片外观检查装置检查薄片上是否存在瑕疵或异物、电路图案损坏等缺陷。
在所述半导体薄片外观检查中,根据登录有例如作为被检查的半导体芯片的品种或定位基准的标记的位置信息、作为检查对象的芯片的地点及排列、所使用的透镜的倍数、检查时的焦点位置或照明的亮度等检查条件信息组的检查条件数据进行检查。每次增加作为检查对象的薄片的品种时,该检查条件数据使用检查装置被探讨、决定和登录。然后,在实际检查过程中,根据该检查条件数据,对摄像电路图案所得到的图像和预先登录的基准图像进行核对,由此判断该半导体芯片是优良品还是不良品。
由于一台检查装置在规定时间内能够检查的薄片数量有限,因此检查多个薄片时利用多台检查装置。
根据专利文献1,公开有:在半导体的检查方法以及装置中,使用标准样品求出所需的检查参数值,由此推定缺陷部的阻抗值的技术。
专利文献
专利文献1:特开2004-319721号
发明内容
现有的检查装置是根据标准装置而设计,各部尺寸预先被确定为设计值,并根据该设计值制造。但是,零部件加工或组装作业通常在被称之为公差或指定公差的精度范围内进行。因此,制造的检查装置各部尺寸与设计值相比,包括由所述公差引起的尺寸偏差。并且,对多台检查装置之间进行比较时,所述尺寸偏差在相互的装置之间也有差异,每台装置的设计值和所述尺寸的偏差被称为机差。
这些机差在装置外观方面没有成为问题,利用某一装置对同一品种薄片进行检查时也没有成为问题。但是,利用多台装置进行检查时,使检查条件数据实现共用化以判定是优良品还是不良品时,所述机差大小就成为无法忽视的尺寸。因此,利用多台装置进行检查时,所述机差就会成为妨碍将检查条件数据实现共用化后使用的因素。
由于所述理由,现有的利用多台检查装置对同一品种薄片进行检查时,在各台检查装置中分别制作检查条件数据并登录,然后进行检查。
关于现有的检查条件数据生成步骤,结合图进行说明。
图9为表示现有的检查条件数据生成步骤的流程图。
首先,薄片外观检查装置1是根据装置规格而设计,各部尺寸预先被确定为设计值(S201)。
然后,制造装置A(S202),使用检查装置A制作相对于品种#N(N=1,2,3...)的装置A的检查条件数据#Na(N=1,2,3...)(S203)。
根据该检查条件数据#Na,使用装置A对品种#N进行检查(S204)。并且在之后,制造另一台装置B(S205),使用检查装置B制作相对于品种#N(N=1,2,3...)的装置B的检查条件数据#Nb(N=1,2,3...)(S206)。
根据该检查条件数据#Nb,使用装置B对品种#N进行检查(S207)。而且,对于装置C也采取同样的步骤制造装置,并在每台装置上制作检查条件数据,并进行检查(S208~S210)。
如前面所述,即使多台装置是根据相同的设计值制造,但由于存在由所述公差引起的机差,因此各装置也被不同的装置来使用,即使对同一品种薄片进行检查,每台装置中也分别制作检查条件数据。
因此,如果作为检查对象的薄片品种数或检查装置数量增加,则对每台检查装置必须登录用于检查相同薄片的检查条件数据。因此,检查条件数据的登录作业需要花费很多时间和劳力。另外,由于检查装置发生系统故障等原因而检查条件数据被丢失时,对登录的全部品种必须重新登录检查条件数据。因此,检查条件数据的重新登录作业需要花费很多时间和劳力。
因此,本发明的目的在于提供一种生成对薄片上形成的半导体芯片外观进行检查的检查装置的检查条件数据的薄片检查条件生成方法中,在短时间内能够生成将机差考虑进去的每台装置的检查条件数据的方法以及检查系统。
本发明中涉及的一种薄片检查条件生成方法,生成检查形成在薄片上的半导体芯片外观的多台检查装置的检查条件数据,该方法包括以下步骤:
◎计算出相对于设计值的每台薄片检查装置的机差,然后登录机差校正数据的步骤;
◎在所选择的任意一台薄片检查装置中,使用薄片生成检查条件数据的步骤;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造