[发明专利]半导体薄片外观检查装置的检查条件数据生成方法以及检查系统有效
申请号: | 201080011823.4 | 申请日: | 2010-03-01 |
公开(公告)号: | CN102349142A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 大美英一;山本比佐史 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/956 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 吴京顺;任晓航 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 薄片 外观 检查 装置 条件 数据 生成 方法 以及 系统 | ||
1.一种薄片检查条件生成方法,生成检查形成在薄片上的半导体芯片外观的多台检查装置的检查条件数据,该方法包括以下步骤:
机差校正数据登录步骤,计算出相对于设计值的每台薄片检查装置的机差,然后登录机差校正数据;
第一检查条件数据生成步骤,在所选择的任意一台薄片检查装置中,使用薄片生成检查条件数据;
通用检查条件数据生成步骤,从所述检查条件数据和所述所选择的任意一台薄片检查装置的所述机差校正数据,生成通用检查条件数据;
第二检查条件数据生成步骤,从所述通用检查条件数据和每台薄片检查装置的所述机差校正数据,生成每台薄片检查装置的检查条件数据。
2.根据权利要求1所述的薄片检查条件生成方法,其特征在于:所述机差校正数据至少包括以下误差数据中的任意一个误差数据:
设置在薄片检查装置上的、放置薄片的台子的检查平台的原点位置与检查薄片的检查摄像机中心位置和放置在所述检查平台上的薄片的中心位置之间的误差数据;
检查薄片的检查摄像机的聚焦位置的误差数据;
所述检查摄像机所具有的透镜的观察倍数的误差数据;
所述检查摄像机所具有的照明用光源的、相对于所需亮度的设定值的误差数据。
3.一种薄片检查系统,生成检查形成在薄片上的半导体芯片外观的多台检查装置的检查条件数据,该系统包括以下装置:
机差校正数据登录装置,计算出相对于设计值的每台薄片检查装置的机差,然后登录机差校正数据;
第一检查条件数据生成装置,在所选择的任意一台薄片检查装置中,使用薄片生成检查条件数据;
通用检查条件数据生成装置,从所述检查条件数据和所述所选择的任意一台薄片检查装置的所述机差校正数据,生成通用检查条件数据;
第二检查条件数据生成装置,从所述通用检查条件数据和每台薄片检查装置的所述机差校正数据,生成每台薄片检查装置的检查条件数据。
4.根据权利要求3所述的薄片检查系统,其特征在于:所述机差校正数据至少包括以下误差数据中的任意一个误差数据:
设置在薄片检查装置上的、放置薄片的台子的检查平台的原点位置与检查薄片的检查摄像机中心位置和放置在所述检查平台上的薄片的中心位置之间的误差数据;
检查薄片的检查摄像机的聚焦位置的误差数据;
所述检查摄像机所具有的透镜的观察倍数的误差数据;
所述检查摄像机所具有的照明用光源的、相对于所需亮度的设定值的误差数据。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽工程株式会社,未经东丽工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造