[发明专利]HDD图案布植系统有效
| 申请号: | 201080009890.2 | 申请日: | 2010-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN102334161A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
| 发明(设计)人: | M·A·孚德;J·纽曼;J·A·马林;D·J·霍夫曼;S·莫法特;S·文哈弗贝克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | G11B5/73 | 分类号: | G11B5/73;G11B5/82;G11B5/84 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;邢德杰 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | hdd 图案 系统 | ||
技术领域
本发明各实施例涉及硬盘驱动器介质及用于制造硬盘驱动器介质的装置和方法。更具体地,本发明各实施例涉及用于形成硬盘驱动器的经图案化磁性介质的方法及装置。
背景技术
硬盘驱动器是计算机及相关设备首选的存储介质。硬盘驱动器发现于大多数桌上型及膝上型计算机中,且亦可发现于若干消费电子设备(诸如,媒体记录器及播放机以及用于收集和记录数据的仪器)中。硬盘驱动器也部署成阵列以用于网络存储。
硬盘驱动器磁性地存储信息。硬盘驱动器中的磁盘经配置以具有可由磁头单独寻址的磁畴。磁头移动至接近磁畴并改变磁畴的磁性性质以记录信息。为恢复所记录的信息,磁头移动至接近磁畴并检测磁畴的磁性性质。磁畴的磁性性质通常解译为对应于两个可能状态中的一个:“0”状态及“1”状态。以此方式,可将数字信息记录于磁性介质上并在的后恢复这些信息。
硬盘驱动器中的磁性介质通常是其上沉积有磁化材料的玻璃、复合玻璃/陶瓷或金属基板,这些玻璃、复合玻璃/陶瓷或金属基板通常为非磁性。磁化层通常经沉积以形成图案,以使得磁盘的表面具有散布有磁非活性区域的磁化率区域。非磁性基板通常在构形上经图案化,且磁化材料藉由旋涂或电镀来沉积。磁盘可随后经抛光或平面化以暴露围绕磁畴的非磁性边界。在一些状况下,以图案化的方式沉积磁性材料以形成由非磁性区域隔开的磁粒或磁点。
预期此类方法产生储存结构,该结构能够支持高达约1TB/in2的数据密度,其中个别磁畴具有如20nm小的尺寸。在具有不同自旋定向的磁畴接合的情况下,存在称为布洛赫壁(Bloch wall)的区域,其中自旋定向经历自第一定向过渡至第二定向。因为布洛赫壁占用总磁畴的增大的部分,所以此过渡区域的宽度限制信息储存的区域密度。
为克服归因于连续磁性薄膜中布洛赫壁宽度引起的限制,磁畴可由非磁性区域(该非磁性区域可比连续磁性薄膜中布洛赫壁的宽度窄)实体隔开。在介质上产生离散磁性区域及非磁性区域的常规方法已着重于藉由将磁畴沉积为单独岛状物或藉由自连续磁膜移除材料以实体隔开磁畴来形成彼此完全分隔的单一位元磁畴。基板可经遮蔽及图案化,且磁性材料沉积于暴露部分上方,或该磁性材料可在遮蔽及图案化之前得以沉积,且随后在暴露部分中被蚀刻掉。在任一状况下,基板的构形由磁性区域的剩余图案改变。因为典型硬盘驱动器的读写头可飞离磁盘的表面接近2nm,所以这些构形改变可变得有限。因此,需要具有高解析度且不改变介质构形的用于图案化磁性介质的制程或方法,及用于有效执行用于大量制造的制程或方法的设备。
发明内容
本文描述的实施例提供用于处理磁性基板的装置,该装置具有一具有感应等离子体源的处理腔室、与该处理腔室邻接的平台、耦合至该平台及该处理腔室的基板载入器,及用于改变每一基板的至少两个主表面的磁性性质的构件,该构件以图案化的方式将每一基板的两个主表面暴露于该感应等离子体源。
其他实施例提供用于处理一个或多个基板的装置,该装置具有多个处理腔室,每一腔室包含具有多个横向位移基板固持位点的基板支撑件、朝向该基板支撑件的等离子体源,及一气源;与处理腔室邻接的用于固持一个或多个基板的平台;及与处理腔室及该平台耦合的基板载入器。
其他实施例提供用于处理磁性基板的装置,该装置具有多个处理腔室,该多个处理腔室中至少一个具有一具有安置于其中的多个横向位移基板位置的基板支撑件;耦合至处理腔室的移送室;及围绕与该基板的直径平行的轴线旋转基板的机器人。
其他实施例提供在一个或多个基板的磁化表面上产生磁畴的图案的方法,该方法藉由以下步骤来达成:将掩模施加于该磁化表面的至少一部分以形成该表面的遮蔽部分及未遮蔽部分;藉由将该表面暴露于等离子体浸渍离子注入制程来改变该磁化表面的未遮蔽部分的磁性特征,该制程包含具有约0.2keV与4.8keV之间的平均能量的离子;及移除掩模。
其他实施例提供形成硬盘驱动器的磁性介质的方法,该方法藉由以下步骤来达成:在基板的至少两个主表面上形成磁层;在该基板的该至少两个主表面上的该磁层上方形成图案化掩模以形成该磁层的遮蔽部分及未遮蔽部分;及藉由将该未遮蔽部分暴露于等离子体来改变该基板的该至少两个主表面的该未遮蔽部分的磁性性质。
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