[发明专利]HDD图案布植系统有效

专利信息
申请号: 201080009890.2 申请日: 2010-02-12
公开(公告)号: CN102334161A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: M·A·孚德;J·纽曼;J·A·马林;D·J·霍夫曼;S·莫法特;S·文哈弗贝克 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73;G11B5/82;G11B5/84
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉;邢德杰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: hdd 图案 系统
【权利要求书】:

1.一种用于处理磁性基板的装置,包括:

处理腔室;

基板支撑件,所述基板支撑件包括提供于其上的多个基板位置;

用于翻转基板以使得能够将每一基板的至少两个主表面暴露于所述处理腔室中的处理环境的构件;及

用于改变每一基板的所述至少两个主表面的磁性性质的构件。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:

平台,所述平台与所述处理腔室邻接;及

基板载入器,所述基板载入器耦合至所述平台和所述处理腔室。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,用于改变每一基板的所述至少两个主表面的磁性性质的所述构件包括感应等离子体源。

4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述基板载入器包括机器人,所述机器人围绕与所述基板的一直径平行的一轴线使每一基板旋转。

5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,用于翻转基板的所述构件包括机器人,所述机器人围绕与所述基板的一直径平行的一轴线使每一基板旋转。

6.如权利要求3所述的装置,其特征在于,每一基板的所述两个主表面相继暴露于所述感应等离子体源。

7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述处理腔室为等离子体浸渍离子注入腔室。

8.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述基板支撑件包括基板载体,所述基板载体具有提供于其上的所述多个基板位置。

9.一种用于处理一个或多个基板的装置,包括:

多个处理腔室,每一腔室包含具有多个横向位移基板固持位点的基板支撑件、面向所述基板支撑件的等离子体源、及气体源;及

翻转器,所述翻转器包含一个或多个延伸部分,所述一个或多个延伸部分经致动以接近所述基板支撑件上的基板、接触基板的边缘并围绕与所述基板的一直径平行的一轴线使所述基板旋转。

10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述处理腔室中的至少一个为具有感应等离子体源的等离子体浸渍离子注入腔室。

11.如权利要求9所述的装置,其特征在于,进一步包含与所述处理腔室邻接以用于固持一个或多个基板的平台。

12.如权利要求9所述的装置,其特征在于,每一基板支撑件将多个基板同时暴露于处理环境。

13.如权利要求11所述的装置,其特征在于,所述翻转器为与所述处理腔室和所述平台耦合的基板载入器。

14.如权利要求9所述的装置,其特征在于,进一步包含具有多个横向位移基板位置的基板载体。

15.一种用于处理磁性基板的装置,包括:

多个处理腔室,所述多个处理腔室中的至少一个具有基板支撑件,所述基板支撑件具有安置于其中的多个横向位移基板位置;

移送室,所述移送室耦合至所述处理腔室;及

机器人,所述机器人围绕与一基板的一直径平行的一轴线使该基板旋转。

16.如权利要求15所述的装置,其特征在于,每一处理腔室选自由下列组成的群组:等离子体腔室、离子注入腔室、物理压印腔室、CVD腔室、PVD腔室、抗蚀剂剥离腔室、保护涂层腔室及润滑涂层腔室。

17.如权利要求15所述的装置,其特征在于,第一处理腔室为等离子体浸渍离子注入腔室,且第二处理腔室为抗蚀剂剥离腔室。

18.一种在一个或多个基板的磁化表面上产生磁畴的图案的方法,包括以下步骤:

将掩模应用于所述磁化表面的至少一部分以形成所述表面的遮蔽部分及未遮蔽部分;

藉由将所述基板浸渍于等离子体中来改变所述磁化表面的所述未遮蔽部分的磁性特征,其中所述等离子体包含平均能量在约0.2keV与约4.8keV之间的离子;及

移除所述掩模。

19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述离子包含一种或多种选自下列所组成的群组的元素:氦、氢、氧、氮、硼、氟、氩、硅、铂、铝、磷。

20.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述离子的平均能量在约2.0keV与约4.0keV之间。

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