[发明专利]表面声波元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及采用以绝缘膜覆盖压电性基板和梳齿状电极的上表面的结构的表面声波元件及其制造方法。

背景技术

以便携式电话为代表的移动体终端，内置有多个滤波器装置及双工器等部件。近年来，为了应对小型化的要求，作为这些部件所使用的谐振器，广泛使用表面声波元件。

对于便携式电话这样的高频带中用到的滤波器装置，要求良好的温度特性。由此，为了改善构成表面声波元件的压电性基板所具有的负的频率温度系数，按照具有正的频率温度系数的氧化硅膜覆盖压电性基板和梳齿状电极的上表面的方式形成。

在形成该氧化硅膜时，如果利用现有的溅射法形成，则会在氧化硅膜的表面现出凹凸部，或者在氧化硅膜的内部产生断裂或空隙。结果，弹性波的传播效率下降，谐振器的能量损耗变大。为此，在专利文献1中提出：对以偏置溅射法形成的氧化硅膜的表面进行平坦化，并且使氧化硅膜的内部为均匀密度。

专利文献1：JP特开2005-176152号公报

可是，在专利文献1所公开的构成中，存在以下问题。

如果将氧化硅膜的表面平坦化，则虽然谐振器的能量损耗改善了，但却在主响应的谐振频率附近产生寄生频率(spurious)。由此，在利用该表面声波元件构成了滤波器装置的情况下，通频带附近的频率特性会劣化。

发明内容

本发明是为了克服上述问题而提出的，其目的在于提供一种能量损耗小、且例如在用于滤波器装置时能抑制在主响应的谐振频率附近产生的寄生频率从而能够提高滤波器装置的通频带附近的频率特性的表面声波元件。

本发明的表面声波元件具备压电性基板、梳齿状电极和绝缘膜。梳齿状电极形成在压电性基板上。绝缘膜以覆盖压电性基板和梳齿状电极的方式形成。在将压电性基板中传播的弹性波的波长设为λ、将从压电性基板的上表面到绝缘膜的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h时，h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内。表面声波元件

优选本发明的表面声波元件还具备形成在绝缘膜上且与绝缘膜的音速不同的介质。这种情况下，能够高精度地调整表面声波的频率。

优选在本发明的表面声波元件中介质由比绝缘膜耐湿性高的材料形成。这种情况下，能改善表面声波元件的耐湿性。

在本发明的表面声波元件中，梳齿状电极可具备第一电极和第二电极，所述第一电极具有多个电极指，所述第二电极具有多个电极指且与第一电极相间地插合。

优选在本发明的表面声波元件中，绝缘膜具有与压电性基板相反符号的频率温度系数，或者具有绝对值比压电性基板的频率温度系数的绝对值小的频率温度系数。这种情况下，能够使表面声波元件的频率温度特性变得良好。

优选在本发明的表面声波元件中，压电性基板由LiNbO₃基板或LiTaO₃基板构成，绝缘膜由氧化硅形成。这种情况下，因为相对于具有负的频率温度系数的压电性基板而言，绝缘膜具有正的TCF，因此能够使表面声波元件的频率温度特性变得更良好。

本发明的表面声波元件的制造方法包括电极形成工序和绝缘膜形成工序。在电极形成工序中，在压电性基板上形成梳齿状电极。在绝缘膜形成工序中，在压电性基板和梳齿状电极的上表面形成绝缘膜。在绝缘膜形成工序中，在将压电性基板中传播的弹性波的波长设为λ、将从压电性基板的上表面到绝缘膜的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h的情况下，以h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内的方式，使用偏置溅射法形成绝缘膜。

优选在本发明涉及的表面声波元件的制造方法中，还包括在绝缘膜上形成与绝缘膜的音速不同的介质的工序。

优选在本发明涉及的表面声波元件的制造方法中，在形成介质的工序中使用比绝缘膜耐湿性高的材料形成介质。

优选在本发明涉及的表面声波元件的制造方法中，在电极形成工序中形成第一电极和第二电极，所述第一电极具有多个电极指，所述第二电极具有多个电极指且与所述第一电极相间地插合。

优选在本发明涉及的表面声波元件的制造方法中，在绝缘膜形成工序中，由具有与压电性基板相反符号的频率温度系数、或者具有绝对值比压电性基板的频率温度系数的绝对值小的频率温度系数的材料形成所述绝缘膜。这种情况下，能够制造频率温度特性更良好的表面声波元件。