[发明专利]表面声波元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080009596.1 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN102334290A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 山崎央;高桥秀明;菊知拓 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H3/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面 声波 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种表面声波元件,具备:

压电性基板;

梳齿状电极,其形成在所述压电性基板上;和

绝缘膜,其以覆盖所述压电性基板和所述梳齿状电极的方式形成;

在将所述压电性基板中传播的弹性波的波长设为λ、将从所述压电性基板的上表面到所述绝缘膜的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h时,h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内。

2.根据权利要求1所述的表面声波元件,其中,

还具备形成在所述绝缘膜上且与所述绝缘膜的音速不同的介质。

3.根据权利要求2所述的表面声波元件,其中,

所述介质由比所述绝缘膜耐湿性高的材料形成。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的表面声波元件,其中,

所述梳齿状电极具备第一电极和第二电极,所述第一电极具有多个电极指,所述第二电极具有多个电极指且与所述第一电极相间地插合。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的表面声波元件,其中,

所述绝缘膜具有与所述压电性基板相反符号的频率温度系数,或者具有绝对值比所述压电性基板的频率温度系数的绝对值小的频率温度系数。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的表面声波元件,其中,

所述压电性基板由LiNbO3基板或LiTaO3基板构成,

所述绝缘膜由氧化硅形成。

7.一种表面声波元件的制造方法,包括:

电极形成工序,在压电性基板上形成梳齿状电极;和

绝缘膜形成工序,在所述压电性基板和所述梳齿状电极的上表面形成绝缘膜;

在所述绝缘膜形成工序中,在将所述压电性基板中传播的弹性波的波长设为λ、将从所述压电性基板的上表面到所述绝缘膜的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h时,以h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内的方式,使用偏置溅射法形成所述绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的表面声波元件的制造方法,其中,

还包括在所述绝缘膜上形成与所述绝缘膜的音速不同的介质的工序。

9.根据权利要求8所述的表面声波元件的制造方法,其中,

在形成所述介质的工序中,使用比所述绝缘膜耐湿性高的材料形成所述介质。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的表面声波元件的制造方法,其中,

在所述电极形成工序中形成第一电极和第二电极,所述第一电极具有多个电极指,所述第二电极具有多个电极指且与所述第一电极相间地插合。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的表面声波元件的制造方法,其中,

在所述绝缘膜形成工序中,由具有与所述压电性基板相反符号的频率温度系数、或者具有绝对值比所述压电性基板的频率温度系数的绝对值小的频率温度系数的材料形成所述绝缘膜。

12.根据权利要求7至11中任意一项所述的表面声波元件的制造方法,其中,

作为所述压电性基板,使用LiNbO3基板或LiTaO3基板,

在所述绝缘膜形成工序中,由氧化硅形成绝缘膜。

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