[发明专利]保护膜形成用原料液、保护膜、带有保护膜的布线基板

说明书

技术领域

本发明涉及形成布线基板的保护膜的技术，特别涉及密合性高的保护膜、其原料液、具有该保护膜的布线基板。

背景技术

布线基板广泛用于电子仪器，一般在布线基板的表面形成保护膜，以使铜布线不在布线基板表面暴露。

例如下述专利文献4（日本特开2002-12664号公报）中记载了聚酰亚胺聚合物的保护膜，在该文献中，记载了使用具有搅拌机的反应槽在有机溶剂中、加湿氮的流通下、将（a）可提供耐热性聚酰亚胺的四羧酸成分、（b）二氨基硅氧烷、（c）具有极性基团的芳香族二胺、（d）根据情况包含具有多个苯环的芳香族二胺的二胺进行聚合来合成的合成方法。

还记载了聚酰亚胺系绝缘膜用组合物的发明，该聚酰亚胺系绝缘膜用组合物相对于这种聚酰亚胺聚合物100质量份，包含1～100质量份、特别是2～40质量份的异氰酸酯和/或环氧树脂以及有机溶剂，具有极性基团的芳香族二胺的例子可以列举羟基二胺。另外，还记载了封端异氰酸酯。

但是近年来，作为保护膜，要求形成图案化前的前体的膜具有光反应性，将涂布了原料液的光反应性膜曝光?显影后，进行加热而形成保护膜。与使用抗蚀膜进行曝光、显影、蚀刻、除去抗蚀剂相比，有工序减少的优点，此外，还提高了图案精度。

下述专利文献1～3记载了如果在聚酰亚胺组合物中含有重氮萘醌这样的感光剂，则可以得到感光性聚酰亚胺组合物。

专利文献1 :日本特开2008-38031号公报

专利文献2 : 日本特开2008-37915号公报

专利文献3 : WO2008/132914号

专利文献4 : 日本特开2002-12664号公报

专利文献5 : 日本特开平9-236916号公报

专利文献6 : 日本特表2002-544542号公报。

发明内容

但是，上述这种通过光反应性膜的曝光?显影而形成的保护膜与金属布线的密合性弱，在90度剥离试验中，仅有5N/cm左右的强度。该值存在下述问题，即当发生工序间的振动时，有可能在交错划线式试验中产生剥离，如果在形成图案后，进行金属布线的镀敷，则在金属布线和保护膜间侵入镀液，使可靠性降低。期望10N/cm左右的剥离强度。

为了进一步提高基材-覆盖材料之间的密合性，需求可期待与两者牢固结合的新的树脂。

本发明是为了解决上述现有技术的缺点而作出的发明，其目的在于提供改善了密合性的保护膜、其原料液、具有该保护膜的布线基板。

为了解决上述课题，本发明是保护膜用原料液，其是含有聚酰亚胺树脂成分、感光剂、交联剂和溶剂的保护膜用原料液，其中，上述交联剂含有封端异氰酸酯成分，上述聚酰亚胺树脂成分含有将二胺成分和酸二酐成分进行酰亚胺化而成的聚酰亚胺树脂，所述二胺成分含有以下式（1）表示的含有酰胺基的硅氧烷二胺化合物，

[化1]

（式（1）中，R¹和R²各自独立地是可被取代的亚烷基，m为1～30的整数，n为0～20的整数。）

所述酸二酐成分含有选自均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、3，3’4，4’-二苯基醚四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基砜四甲酸二酐、2，2’-双（3，4-二羧基苯基）丙烷二酐、1，4，5，8-萘四甲酸二酐、4，4’-（六氟异亚丙基）二酞酸二酐、9，9-双（3，4-二羧基苯基）芴酸二酐、9，9-双［4-（3，4-二羧基苯氧基）苯基］芴酸二酐和1，2，3，4-环丁甲酸二酐中的至少一种的芳香族酸二酐，上述封端异氰酸酯成分含有将六亚甲基二异氰酸酯化合物的异氰酸酯基封闭的封端异氰酸酯化合物，如果将该保护膜用原料液涂布于涂布对象物、并使上述溶剂蒸发来形成光反应性膜，则上述光反应性膜具有光溶解性。

此外，本发明是保护膜用原料液，其中，在将聚酰亚胺树脂记作100质量份时，以2质量份以上且10质量份以下的范围含有上述封端异氰酸酯化合物。

此外，本发明是保护膜用原料液，其中，在将二胺的总量记作100摩尔%时，上式（1）的含有酰胺基的硅氧烷二胺化合物为0.1摩尔%以上且20摩尔%以下。

此外，本发明是保护膜用原料液，其中，相对于聚酰亚胺树脂100质量份，以5质量份以上且30质量份以下的范围含有上述感光剂。