[发明专利]多光轴光电传感器有效
申请号: | 201080007884.3 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102318191A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 小泽亮;尾﨏一功 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78;G01V8/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂宁乐;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光轴 光电 传感器 | ||
1.一种多光轴光电传感器,
在投光器和受光器之间设定有多个光轴;
反复进行以下处理:
光轴扫描处理,依次使各光轴变得有效,并检测在有效的光轴上是否有光入射,
判断处理,根据光轴扫描处理的结果,来判断由各光轴形成的检测区域的光入射/光屏蔽状态;
根据判断的结果,来在输出/非输出之间进行切换,
其特征在于,
具有:
误动作报告单元,其用于报告表示判断为上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的输出是因误动作而引起的,
变量更新单元,其根据针对每次光轴扫描处理的判断结果来更新第一变量和第二变量,所述第一变量表示得到上述检测区域处于光入射状态的判断结果的光轴扫描处理所持续的时间的长度,所述第二变量表示得到上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的光轴扫描处理的执行时间的长度,
报告控制单元,其在满足特定条件时,使误动作报告单元工作,上述特定条件是指,在上述检测区域处于光入射状态的判断结果持续的期间内被更新的第一变量的值达到预先确定的第一基准值,且在这之前根据检测区域处于光屏蔽状态的判断结果来所更新的第二变量的最终值在预先确定的第二基准值以下。
2.一种多光轴光电传感器,
在投光器和受光器之间设定有多个光轴;
反复进行以下处理:
光轴扫描处理,依次使各光轴变得有效,并检测在有效的光轴上是否有光入射,
判断处理,根据光轴扫描处理的结果,来判断由各光轴形成的检测区域的光入射/光屏蔽状态;
根据判断的结果,来在输出/非输出之间进行切换,
其特征在于,
具有:
误动作报告单元,其用于报告表示判断为上述检测区域处于光入射状态的判断结果的输出是因误动作而引起的,
变量更新单元,其根据针对每次光轴扫描处理的判断结果来更新第一变量和第二变量,所述第一变量表示得到上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的光轴扫描处理所持续的时间的长度,所述第二变量表示得到上述检测区域处于光入射状态的判断结果的光轴扫描处理的执行时间的长度;
报告控制单元,其在满足特定条件时,使误动作报告单元工作,上述特定条件是指,在上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果所持续的期间内被更新的第一变量的值达到预先确定的第一基准值,且在这之前根据检测区域处于光入射状态的判断来所更新的第二变量的最终值在预先确定的第二基准值以下。
3.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,
还具有:
输出单元,其输出用于使外围设备动作的控制信号;
输出停止单元,其在上述第二变量的值达到第二基准值或者小于第二基准值的规定的阈值时,使上述输出单元停止输出控制信号。
4.根据权利要求3所述的多光轴光电传感器,其特征在于,还具有存储单元,该存储单元响应于上述误动作报告单元的动作,保存与上述控制信号的输出被停止的光轴扫描处理有关的信息。
5.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,第二基准值设定为小于第一基准值的值。
6.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,上述变量更新单元作为更新上述第一变量及第二变量的处理而进行如下处理:对得到上述检测区域处于光入射状态的判断结果的光轴扫描处理的次数以及得到上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的光轴扫描处理的次数进行计测。
7.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,上述变量更新单元作为更新上述第一变量及第二变量的处理而进行如下处理:
对得到上述检测区域处于光入射状态的判断结果的光轴扫描处理的次数以及得到上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的光轴扫描处理的次数进行计测的处理;
将各计测值换算为时间的处理。
8.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,上述变量更新单元作为更新第一变量及第二变量的处理而进行如下处理:
对得到上述检测区域处于光入射状态的判断结果的光轴扫描处理所持续的时间以及得到上述检测区域处于光屏蔽状态的判断结果的光轴扫描处理所持续的时间进行计测。
9.根据权利要求1或2所述的多光轴光电传感器,其特征在于,还具有误动作检测结果输出单元,该误动作检测结果输出单元响应于上述报告控制单元使误动作报告单元工作,将显示控制信息输出到外部,所述显示控制信息用于在显示器中显示检测出误动作的信息。
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