[发明专利]用于超低功率晶体振荡器的无电阻反馈偏置无效
| 申请号： | 201080007781.7 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102318184A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 伍韦·马丁 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 功率 晶体振荡器 电阻 反馈 偏置 | ||
1.一种超低功率晶体振荡器，其包括：
振荡器驱动器晶体管，其具有源极、栅极及漏极；
低操作电流运算跨导放大器(OTA)，其具有正输入及负输入以及输出，其中所述OTA连接成单一增益缓冲器配置作为振荡器反馈偏置元件；及
偏置电流产生器，其连接到供应电压，所述偏置电流产生器设定所述振荡器驱动器晶体管的所述漏极处的直流电(DC)电压；
其中所述OTA的所述正输入连接到所述振荡器驱动器晶体管的所述漏极及所述偏置电流产生器，且所述OTA的所述负输入及输出连接到所述振荡器驱动器晶体管的所述栅极，借此，
所述振荡器驱动器晶体管的所述栅极与漏极DC偏置电压大致相同；且
所述OTA的所述负输入与正输入上的电压大致相同，同时所述振荡器驱动器晶体管AC操作保持不被干扰。
2.根据权利要求1所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器驱动器晶体管为场效应晶体管(FET)。
3.根据权利要求1所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器驱动器晶体管为结型场效应晶体管(JFET)。
4.根据权利要求1所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器驱动器晶体管为绝缘栅极(IG)场效应晶体管(FET)。
5.根据权利要求1所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器驱动器晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
6.根据权利要求1所述的超低功率晶体振荡器，其中所述偏置电流产生器为恒定电流源。
7.一种超低功率晶体振荡器，其包括：
启动电路，
偏置电流产生器，其耦合到所述启动电路；
低操作电流运算跨导放大器(OTA)反馈电路，其耦合到所述偏置电流产生器；
晶体振荡器晶体管，其耦合到所述OTA反馈电路；及
振荡器缓冲放大器，其耦合到所述晶体振荡器晶体管。
8.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述偏置电流产生器为耦合到供应电压的恒定电流源。
9.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述(OTA)反馈电路为具有正输入及负输入以及输出的低操作电流运算跨导放大器(OTA)，其中所述OTA连接成单一增益缓冲器配置。
10.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述晶体振荡器晶体管为场效应晶体管(FET)。
11.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器晶体管为结型场效应晶体管(JFET)。
12.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器晶体管为绝缘栅极(IG)场效应晶体管(FET)。
13.根据权利要求7所述的超低功率晶体振荡器，其中所述振荡器晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
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