[发明专利]制造绝缘导电图形的方法和层压体有效
申请号: | 201080007009.5 | 申请日: | 2010-02-08 |
公开(公告)号: | CN102308367A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 黄智泳;闵盛晙;黄仁皙;李东郁;全相起 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 绝缘 导电 图形 方法 层压 | ||
技术领域
本发明涉及一种制造绝缘导电图形的方法和层压体。本申请要求享有于2009年2月6日和2009年12月21日在KIPO提交的第10-2009-0009750号、第10-2009-0127756号、第10-2009-0127757号和第10-2009-0127759号韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用的方式并入本申请。
背景技术
制造已知的常规导电图形的方法如下。首先,通过在形成于基板上的导电膜上均匀地涂布光刻胶,以及使光刻胶选择性地曝光和显影而形成光刻胶图形。随后,通过使用图形化的光刻胶图形作为掩膜通过刻蚀该导电膜将该导电图形转印到光刻胶的下层上。之后,通过反提取剂除去多余的光刻胶层。接着,在其上形成导电图形的基板的整个表面上,均匀地涂布绝缘层。
已知的方法不是使用导电图形的构成成分,而是使用光刻胶材料和反提取剂,因此,由于光刻胶材料和反提取剂的费用以及去除光刻胶材料和反提取剂的费用,增加了加工成本。另外,还存在因去除上述材料污染环境的问题。另外,由于已知的方法有大量步骤并且是复杂的,需要大量的时间和许多费用,并且在光刻胶材料没有完全剥离的情况下,存在在最终产品中出现缺陷的问题。
为了解决这些问题,人们已经坚持不懈地在下述方面进行了努力,例如,限定该方法中的杂质、开发反提取剂的再利用方法、发环保型技术或者开发有效的反提取剂,但是需要更根本的解决方法。
发明内容
技术问题
本发明已致力于提供一种制造绝缘导电图形的方法和包括通过使用该方法制造的绝缘导电图形的层压体,在所述方法中,与已知的方法相比,步骤数量少,并且极大提高了经济效率。
技术方案
为了实现所述目的,本发明的示例性实施方式提供了一种制造绝缘导电图形的方法,其包括:a)在基板上形成导电膜;b)在所述导电膜上形成绝缘层图形;c)通过使用所述绝缘层图形作为掩膜通过刻蚀所述导电膜形成导电图形;和d)再形成(reforming)所述绝缘层图形以覆盖所述导电图形。
本发明的另一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,并且所述层压体是通过使用制造所述绝缘导电图形的方法而制造的。
本发明的还一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,其中,所述导电图形的锥度角(taper angle)小。所述导电图形的锥度角可为大于0至小于90°,优选大于0至45°以下,且更优选大于0至30°以下。
本发明的再一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,其中,所述绝缘层图形的锥度角小。所述绝缘层图形的锥度角可为大于0至小于90°,优选大于0至70°以下,且更优选大于0至30°以下。
本发明的又一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,其中,所述绝缘层图形的锥度角大于所述导电图形的锥度角。对所述绝缘层图形的锥度角没有特别限制,只要所述绝缘层图形的锥度角大于所述导电图形的锥度角即可,但是所述绝缘层图形的锥度角更优选为大于0至45°以下。
本发明的还一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,其中,在所述导电图形和所述绝缘层图形之间包括空隙。
本发明的再一个示例性实施方式提供了一种层压体,其包括:基板;在所述基板上形成的导电图形;和覆盖所述导电图形的绝缘层图形,其中,在所述导电图形的线宽方向的横截面中,从所述导电图形的一个侧端到所述绝缘层图形的距离a与从所述导电图形的另一侧端到所述绝缘层图形的距离b的百分比(a/b*100)在90~110的范围内。
有益效果
根据本发明的示例性实施方式,因为没有使用单独的用于形成导电图形的光刻胶材料和反提取剂,所以不存在增加成本和环境污染的问题,并且因为与已知的光刻法相比工艺简单,所以具有经济效率。另外,因为不除去在形成导电图形时使用的掩膜图形,并且在通过再形成该图形使导电图形绝缘时使用该图形,所以没有残留未通过绝缘图形而绝缘的导电图形,从而在基板上没有残留如导电材料的杂质,因此防止短路的发生。
附图说明
图1为显示根据本发明示例性实施方式的方法的模似图。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造