[发明专利]制造绝缘导电图形的方法和层压体

权利要求书

1.一种制造绝缘导电图形的方法，所述方法包括：

a)在基板上形成导电膜；

b)在所述导电膜上形成绝缘层图形；

c)通过使用所述绝缘层图形作为掩膜通过刻蚀所述导电膜形成导电图形；和

d)再形成所述绝缘层图形以覆盖所述导电图形。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，绝缘层图形的形成为选自印刷法、光刻法、照相法、使用掩膜的方法和激光转印法中的方法。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述印刷法为胶版印刷、反向胶版印刷、丝网印刷或照相凹版印刷。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)之后，所述绝缘层图形的锥度角为大于0至小于90°。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，在刻蚀所述导电膜之后，在所述绝缘层图形的边缘的下部形成侧蚀。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，所述导电膜的刻蚀时间为适量刻蚀时间至与该适量刻蚀时间相比延迟2000％的时间。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电膜是包含金属的单层膜或多层膜。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层图形包含：选自基于酰亚胺的聚合物、基于双酚的聚合物、基于环氧的聚合物、基于丙烯酸的聚合物、基于酯的聚合物和基于酚醛清漆的聚合物中的一种或多种聚合物；或者选自基于酰亚胺的单体、基于双酚的单体、基于环氧的单体、基于丙烯酸的单体和基于酯的单体中两种或更多种的组合或共聚物。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤d)中，所述绝缘层图形的厚度大于所述导电图形的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤d)中，所述绝缘层图形的再形成方法包括：热处理、与溶剂或溶剂的烟雾接触、等离子处理或者施压。

11.如权利要求1所述的方法，在步骤b)期间或在步骤b)之后，该方法进一步包括软烘干步骤。

12.一种通过使用根据权利要求1～11中任一项所述的方法制造的层压体，所述层压体包括：

基板；

在所述基板上形成的导电图形；和

覆盖所述导电图形的绝缘层图形。

13.如权利要求12所述的层压体，其中，所述绝缘层图形包括具有与其它区域不同的固化程度的区域。

14.如权利要求12所述的层压体，其中，所述导电图形的端点与所述绝缘层图形的端点之间的距离为0～1微米或者5微米以上。

15.如权利要求12所述的层压体，没有出现由图形缺陷而造成的短路。

16.如权利要求12所述的层压体，所述导电图形的锥度角为大于0至小于90°。

17.如权利要求16所述的层压体，所述绝缘层图形的锥度角为大于0至小于90°。

18.如权利要求12所述的层压体，所述绝缘层图形的锥度角为大于0至小于90°。

19.如权利要求12所述的层压体，所述绝缘层图形的锥度角大于所述导电图形的锥度角。

20.如权利要求12所述的层压体，在所述导电图形的线宽方向的横截面中，从所述导电图形的一个侧端到所述绝缘层图形的末端的距离a与从所述导电图形的另一侧端到所述绝缘层图形的末端的距离b的百分比(a/b*100)在90～110的范围内。

21.一种层压体，其包括：

基板；

在所述基板上形成的导电图形；和

覆盖所述导电图形上的绝缘层图形，并且所述导电图形的锥度角为大于0至小于90°。

22.如权利要求21所述的层压体，所述绝缘层图形的锥度角为大于0至小于90°。

23.一种层压体，其包括：

基板；

在所述基板上形成的导电图形；和

覆盖所述导电图形的绝缘层图形，并且所述绝缘层图形的锥度角为0～90°。