[发明专利]非对称结型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

主体层，包括半导体材料并且具有第一导电类型的掺杂，并且位于半导体衬底中；

源极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第一导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述主体层；

漏极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第一导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述主体层；

上栅极区域，包括所述半导体材料并且具有第二导电类型的掺杂，并且垂直地邻接所述主体层的顶部表面，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，以及

下栅极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第二导电类型的掺杂，并且垂直地邻接所述主体层的底部表面以及横向地邻接所述主体层的侧壁并且邻接所述上栅极区域，其中所述源极区域和所述漏极区域具有基本上共面的顶部表面，并且其中所述源极区域的底部表面位于所述漏极区域的最底部表面的水平面之下。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述源极区域的底部表面邻接所述下栅极区域的顶部表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述漏极区域并不邻接所述下栅极区域。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中所述主体层、所述源极区域以及所述漏极区域都是单晶体并且彼此外延地对齐。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述上栅极区域和所述下栅极区域是单晶体，并且其中所述主体层、所述源极区域、所述漏极区域、所述上栅极区域和所述下栅极区域彼此外延地对齐。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一浅沟槽隔离结构，包括电介质材料并且横向地围绕所述源极区域的上部；

第二浅沟槽隔离结构，包括所述电介质材料并且横向地围绕所述漏极区域；以及

第二导电类型的透穿区域，包括所述半导体材料，具有所述第二导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述下栅极区域。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述源极区域、所述漏极区域、所述上栅极区域、所述下栅极区域、所述第一浅沟槽隔离结构、所述第二浅沟槽隔离结构以及所述第二导电类型的透穿区域包封所述主体层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述第二导电类型的透穿区域为单晶体并且其与所述主体层、所述源极区域、所述漏极区域、所述上栅极区域和所述下栅极区域外延地对齐。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体结构，还包括：

第三浅沟槽隔离结构，邻接所述第二导电类型的透穿区域并且横向地包围但不邻接所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构；以及

第四浅沟槽隔离结构，邻接所述第二导电类型的透穿区域并且横向地包围但不邻接所述第三浅沟槽隔离结构。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，还包括半导体层，该半导体层包括所述半导体材料，具有所述第一导电类型的掺杂，并且位于所述半导体衬底中，其中所述半导体层垂直地邻接所述下栅极区域的底部表面。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一导电类型的掩埋半导体层，其包括所述半导体材料，具有所述第一导电类型的掺杂，垂直邻接所述下栅极区域的底部表面，并且位于所述半导体衬底中；以及

半导体层，其包括所述半导体材料，具有所述第二导电类型的掺杂，并且位于所述半导体衬底中，其中所述半导体层垂直地邻接第一导电类型的掩埋半导体层的底部表面。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，还包括第一导电类型的透穿区域，其包括所述半导体材料，具有所述第一导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述第一导电类型的掩埋半导体层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述第一导电类型的掩埋半导体层和所述半导体层是单晶体，并且它们与所述主体层、所述源极区域、所述漏极区域、所述上栅极区域和所述下栅极区域外延地对齐。