[发明专利]图像感测装置和照相机

权利要求书

1.一种图像感测装置，包括：

像素阵列，在该像素阵列中布置像素以形成多个行和多个列；和

外围电路，该外围电路包含选择像素阵列中的行的行选择电路、选择像素阵列中的列的列选择电路和读出像素阵列中的由列选择电路选择的列的信号的读出电路，

其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、将存储于光电二极管的存储区域中的空穴传送到浮动扩散的传送PMOS晶体管、放大在浮动扩散中出现的信号的放大器PMOS晶体管和将浮动扩散的电势复位的复位PMOS晶体管，

放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，

包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。

2.根据权利要求1的装置，其中，像素阵列中的元件隔离区域和外围电路中的元件隔离区域是STI(浅沟槽隔离)区域。

3.根据权利要求1或2的装置，其中，n型杂质区域的n型杂质是砷。

4.根据权利要求1～3中的任一项的装置，其中，传送PMOS晶体管的栅极和复位PMOS晶体管的栅极由p型导电图案形成。

5.根据权利要求4的装置，其中，放大器PMOS晶体管具有埋入沟道结构，并且，传送PMOS晶体管和复位PMOS晶体管具有表面沟道结构。

6.根据权利要求1～5中的任一项的装置，其中，放大器PMOS晶体管的源极和漏极的最大深度为第一深度，并且，

包含于列选择电路中的PMOS晶体管的源极和漏极具有包含具有第一深度的部分和具有比第一深度深的第二深度的部分的LDD(轻掺杂漏极)结构。

7.根据权利要求1～6中的任一项的图像感测装置，其中，光电转换装置被配置为背侧照射型光电转换装置。

8.根据权利要求1～7中的任一项的图像感测装置，其中，放大器PMOS晶体管的沟道宽度比复位PMOS晶体管的沟道宽度大。

9.一种照相机，包括：

根据权利要求1～7中的任一项的图像感测装置；和

处理由光电转换装置获得的信号的信号处理器。