[发明专利]包括具有相变存储器件的分压器的非易失存储器电路

权利要求书

1.一种存储器电路，包含：

分压器，包括：

第一相变存储器PCM器件；和

耦合到所述第一相变存储器PCM器件的第二相变存储器PCM器件。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中所述第一相变存储器PCM器件在设置电阻态，并且所述第二相变存储器PCM器件在复位电阻态。

3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中：

所述分压器进一步包括：

耦合到所述第一相变存储器PCM器件的第一开关；和

耦合到所述第一开关和所述第二相变存储器PCM器件的第二开关。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，进一步包含：

耦合到所述分压器的半锁存器；以及

耦合到所述半锁存器和所述分压器的级联晶体管。

5.根据权利要求4所述的存储器电路，其中：

所述半锁存器包括互补金属氧化物半导体CMOS反相器，所述互补金属氧化物半导体CMOS反相器包括串联耦合到p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管的n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，其中所述半锁存器的输入节点被耦合到所述n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管的栅极和所述p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管的栅极；

所述级联晶体管是栅极耦合到所述半锁存器的输出节点并且漏极耦合到所述半锁存器的所述输入节点的p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管；

所述第一开关是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管；以及

所述第二开关是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的存储器电路，进一步包含：

耦合到所述分压器的地址线开关；以及

在所述分压器和所述半锁存器之间耦合的读取线开关。

7.根据权利要求6所述的存储器电路，进一步包含：

耦合到所述半锁存器的所述输出节点的传输门晶体管。

8.根据权利要求6所述的存储器电路，其中所述地址线开关是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，并且所述读取线开关是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的存储器电路，其中所述第一相变存储器PCM器件和所述第二相变存储器PCM器件是柱形单元存储器件。

10.一种包括根据权利要求1所述的存储器电路的分布式存储器。

11.一种包括根据权利要求1所述的存储器电路的可编程逻辑器件。

12.一种包含可编程逻辑器件的数字系统，所述可编程逻辑器件包括根据权利要求1所述的存储器电路。