[发明专利]高级硅烷组合物和带膜的基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及高级(higher-order)硅烷组合物和带膜的基板(substrate with film)的制造方法。

背景技术

集成电路、薄膜晶体管等中应用的硅膜(非晶硅膜、多晶硅膜等)的图案形成，一般利用下述工艺来进行，所述工艺是通过CVD(化学气相沉积)法等气相方法在整个面上形成硅膜后，再利用光刻法除去不需要的部分。

但是，在该方法中，由于使用了气相方法，因此存在下述问题：需要大型的装置；原料的使用效率差；原料为气体，从而难以操作；产生了大量废弃物等。

因此，对于使用液相方法的硅膜的形成方法进行了研究，提出了例如下述方法：使用含有液态的硅烷化合物(例如环戊硅烷)；利用紫外线照射使该液态的硅烷化合物光聚合而得的高级硅烷化合物；以及十氢萘、四氢萘、甲基萘、甲苯、癸烷、辛烷、二甲苯、苯等有机溶剂的高级硅烷组合物，并将该高级硅烷组合物涂布在基板上，除去溶剂后进行热处理，由此来形成硅膜(参考例如日本特开2003-313299号公报)。

但是，上述高级硅烷化合物在用于该高级硅烷组合物的溶剂中的溶解性低。即，在高级硅烷组合物中不使用液态的硅烷化合物、而仅使用上述有机溶剂时，不能以需要程度的高浓度将为了形成期望膜厚的硅膜的需要程度的高分子量的高级硅烷化合物溶解。但是，高级硅烷化合物在上述液态的硅烷化合物(低级硅烷化合物)中是可溶的，进一步地，该低级硅烷化合物在上述溶剂中是可溶的。因此，在日本特开2003-313299号公报记载的高级硅烷组合物中，通过使高级硅烷化合物与低级硅烷化合物共存，形成了高级硅烷化合物溶解在溶剂中的状态。即，该公报的高级硅烷组合物也可以理解成高级硅烷化合物溶解在上述溶剂和低级硅烷化合物的混合溶剂中。

对于这种高级硅烷组合物，如果欲提高高级硅烷化合物的分子量和含有率，则需要提高低级硅烷化合物的含有率，但低级硅烷化合物对于氧的反应性高，且蒸汽压高，因此存在混合溶剂变得不稳定这样的问题。

鉴于这种情形，人们要求开发一种高级硅烷组合物，其稳定性、安全性优异、且含有对于以期望的膜厚形成优质膜为充分的浓度和分子量的高级硅烷化合物。

发明内容

本发明的目的在于提供能够使用液相方法、以期望的膜厚形成优质的膜、且稳定的高级硅烷组合物，和可在基板上以期望的膜厚形成优质的膜的带膜的基板的制造方法。

作为本发明的目的和优点，第1是利用如下高级硅烷组合物来达成。

高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其中，

上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下，且分子量为180以下；

作为本发明的目的和优点，第2是通过如下带膜的基板的制造方法来达成。

带膜的基板的制造方法，该方法包括：

向基板上供给上述高级硅烷组合物的第1工序、和

从该高级硅烷组合物中除去溶剂而形成高级硅烷化合物的覆膜的第2工序。

附图说明

图1是实施例1的<工序1A>中使用的环戊硅烷、实施例1的<工序3A>中得到的高级硅烷化合物和实施例3中得到的高级硅烷化合物的GPC-MALLS图。这些图表示了将由GPC分离的物质直接用MALLS测定的数据。

具体实施方式

以下，对于本发明的高级硅烷组合物以及带膜的基板的制造方法，基于优选的实施方式进行详细地说明。

<高级硅烷组合物>

首先，对于本发明的高级硅烷组合物进行说明。

本发明的高级硅烷组合物含有高级硅烷化合物和溶剂。

[高级硅烷化合物]

本发明的高级硅烷化合物是下述低级硅烷化合物的聚合物。该高级硅烷化合物是分别可通过选自在非氧化性气氛中的热处理和光照射处理的至少1种处理而转换成硅(非晶硅或多晶硅)；通过选自在氧化性气氛中的热处理和光照射处理的至少1种处理而转换成氧化硅的化合物。