[发明专利]高级硅烷组合物和带膜的基板的制造方法

权利要求书

1.高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下，且分子量为180以下。

2.权利要求1所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷化合物是对于选自分别由下式(2)和(3)表示的化合物中的至少1种硅烷化合物照射紫外线而得到的化合物，

Si_iX_2i    (2)

Si_jX_2j-2  (3)

上式中，X分别为氢原子或卤原子，i为3～8的整数，j为4～14的整数。

3.权利要求1或2所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中高级硅烷化合物的浓度为1～50重量％。

4.权利要求1或2所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中的溶剂仅包含上述环状烃。

5.权利要求1或2所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中的溶剂是包含上述环状烃和分子中具有硅原子的化合物的溶剂。

6.带膜的基板的制造方法，其特征在于，包含：

向基板上供给权利要求1或2所述的高级硅烷组合物的第1工序、和

从该高级硅烷组合物中除去溶剂而形成高级硅烷化合物的覆膜的第2工序。

7.权利要求6所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜，在非氧化性气氛中实施选自热处理和光照射处理的至少1种处理而将上述高级硅烷化合物转换成硅并形成硅膜的第3工序。

8.权利要求6所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜在非氧化性气氛中实施热处理而将上述高级硅烷化合物转换成硅，接着对于该硅在氧化性气氛中实施热处理而将上述硅转换成氧化硅并形成氧化硅膜的第3工序。

9.权利要求6所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜，在氧化性气氛中实施选自热处理和光照射处理的至少1种处理而将上述高级硅烷化合物转换成氧化硅并形成氧化硅膜的第3工序。