[发明专利]用于半导体晶片的暂时粘合剂以及使用所述粘合剂制造半导体设备的方法

说明书

发明领域

本发明涉及加工过程中暂时粘结用于半导体晶片的暂时粘合剂、和使用所述粘合剂制造半导体设备的方法以及树脂组合物作为暂时粘结剂的用途。

发明背景

为了进行诸如在半导体晶片上研磨和蚀刻的加工，有必要暂时粘结半导体晶片，并且对此已经提出多种方法。例如，目前常使用的方法为将半导体晶片粘结在用于粘结的膜上部，所述膜为在其上已经具有粘合剂层的PET膜。

使用该方法，如果将通常用于研磨的背面研磨机的研磨精度(大约为1μm)和通常用于固定晶片的BG(背面研磨)胶带的厚度精度(大约为5μm)加在一起，则而超出所需的厚度精度，便可引起被研磨晶片的厚度变化的危险。

此外，当为了穿透硅通孔(TSVs)加工晶片时，在使用BG胶带连接进行通孔和膜的形成，但是在该情况下温度达到大约150摄氏度，并且这不幸地增加了BG胶带的粘附力。此外，BG胶带的粘合剂层能被用于膜形成的电镀化学品所腐蚀，由此发生剥落。

此外，在某些情况下，例如复合半导体中的那些易碎晶片可能受机械研磨而损坏，因此通过蚀刻使它们变薄。在该蚀刻过程中，如果蚀刻量的目标仅为去除应力则通常没有问题，但是在进行适于蚀刻的若干微米情况下，BG胶带则可能被蚀刻化学品破坏。

另一方面，已经开始利用通过粘合材料进行粘结至具有光滑表面的支持基板的方法。例如，当蚀刻的目的为去除应力时，必须加热至高温，但是PET膜不能承受如此的高温，因此在这样的情况下，优选利用的方法为使用支持基板。

作为用于粘结至支持基板的材料，粘结材料在高温下软化，由此使晶片容易分离，且已经提出由特殊化学品溶解的粘结材料。

然而，这样的材料的处理是不理想的，并且在分离之后必须清洗残存在半导体晶片内部或使用化学品的设备等中的残留粘结材料。

此外，当从支持基板中分离所述半导体晶片时，存在变薄的晶片不能承受这个并且损坏的危险。当半导体晶片生长得更薄时，能预料到该可能性增加。

例如，尽管专利文献1和2的目的与本发明不同，但是其公开了关于制造半导体设备的聚合物。

如上所述，关于为加工半导体晶片的粘结，需要可用于高精度加工的暂时粘结材料，其容易分离，且其不容易残存在半导体晶片上。

此外，需要半导体设备的制造方法，所述方法能够减少对半导体晶片的损坏，使高精度加工成为可能，并能缩短热分解所需的时间。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本第2006-504853号特开

专利文献2日本第2006-503335号特开

发明概述

本发明的目的是提供用于半导体晶片的暂时粘合剂，所述粘合剂减少对半导体晶片的损坏，允许高精度加工，且使加工之后容易分离所述半导体晶片，还提供减少对半导体晶片损坏的半导体设备的制造方法，其允许高精度加工，并能缩短热分解所需的时间。

根据本发明，为加工半导体晶片，提供了将半导体晶片暂时固定粘结至支持基板以及在加工之后为通过加热从所述支持基板分离所述半导体晶片而使用的用于半导体晶片的暂时粘合剂。

所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含树脂组合物的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

1摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤300摄氏度。

此外，根据本发明的一种方式，提供用于半导体晶片的暂时粘合剂，其将半导体晶片暂时粘结至支持基板以便加工半导体晶片，并用于在加工之后通过加热从所述支持基板分离所述半导体晶片，所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含树脂组合物其失重95％的温度和失重5％的温度之间的差如下所示：

5摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤80摄氏度。

此外，根据本发明，提供了半导体设备的制造方法，其包括以下步骤：以薄层的形式在支持基板的上部提供包含树脂的用于半导体的暂时粘合剂，所述树脂的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

5摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤80摄氏度；

将所述半导体晶片放置在具有层的所述支持基板的表面上，并将所述半导体晶片与所述层粘结；加工所述半导体晶片；以及通过加热所述层从所述支持基板去除所述半导体晶片。