[发明专利]用于半导体晶片的暂时粘合剂以及使用所述粘合剂制造半导体设备的方法

权利要求书

1.用于半导体晶片的暂时粘合剂，其用于将半导体晶片暂时粘结在支持基板上以加工半导体晶片，并用于在加工之后通过加热从支持基板上分离半导体晶片，所述暂时粘合剂包含树脂组合物，所述树脂组合物的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

1摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤300摄氏度。

2.用于半导体晶片的暂时粘合剂，其用于将半导体晶片暂时粘结在支持基板上以加工半导体晶片，并用于在加工之后通过加热从支持基板上分离半导体晶片，所述暂时粘合剂包含树脂组合物，所述树脂组合物的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

5摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤80摄氏度。

3.如权利要求1或2所述的暂时粘合剂，其中所述树脂组合物的失重5％的温度大于等于50摄氏度。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的用于半导体晶片的暂时粘合剂，其中所述树脂组合物的失重50％的温度小于等于500摄氏度。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的用于半导体晶片的暂时粘合剂，其中在所述树脂组合物的失重5％的温度下，其分解时间大于等于1分钟且小于等于60分钟。

6.如权利要求1至4中任一权利要求所述的用于半导体晶片的暂时粘合剂，其中在所述树脂组合物的失重50％的温度下，其分解时间大于等于1分钟且小于等于120分钟。

7.如权利要求5所述的用于半导体晶片的暂时粘合剂，其中所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含非光敏的聚碳酸酯类树脂。

8.如权利要求6所述的用于半导体晶片的暂时粘合剂，其中所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含非光敏的降冰片烯类树脂。

9.半导体设备的制造方法，其包括以下步骤：

在支持基板上，在所述支持基板或半导体晶片上提供用于半导体晶片的暂时粘合剂的薄层，所述粘合剂包含树脂组合物，所述树脂组合物的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

1摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤300摄氏度；

在所述具有薄层的支持基板或半导体晶片的表面上放置所述支持基板或半导体晶片，并且将所述支持基板或半导体晶片与所述薄层粘结在一起；

以及加热所述薄层并从所述支持基板分离所述半导体晶片。

10.半导体设备的制造方法，其包括以下步骤：

在支持基板上，在所述支持基板或半导体晶片上提供用于半导体晶片的暂时粘合剂的薄层，所述粘合剂包含树脂组合物，所述树脂组合物的失重95％的温度和失重5％的温度之间的差为

5摄氏度≤(失重95％的温度)-(失重5％的温度)≤80摄氏度；

在所述具有薄层的支持基板或半导体晶片的表面上放置所述支持基板或半导体晶片，并且将所述支持基板或半导体晶片与所述薄层粘结在一起；

以及加热所述薄层并从所述支持基板分离所述半导体晶片。

11.如权利要求9或10所述的半导体设备的制造方法，其中所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含非光敏的降冰片烯类树脂。

12.如权利要求9或10所述的半导体设备的制造方法，其中所述用于半导体晶片的暂时粘合剂包含非光敏的聚碳酸酯类树脂。