[发明专利]晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法

权利要求书

1.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片附固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。

2.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，由导电性材料和覆盖其表面的绝缘体构成，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。

3.根据权利要求1或者2所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，

所述静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，

所述晶片是绝缘性基板，静电吸附是单极静电吸附。

5.一种晶片的固定方法，其特征在于，

在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，

将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。

6.一种晶片的固定方法，其特征在于，

在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中，该晶片搬送用托盘包括由导电性材料构成且表面被绝缘体覆盖的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，

将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。

7.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，

作为所述静电吸附，使用单极静电吸附或者双极静电吸附。

8.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，

作为所述晶片使用绝缘性基板，作为静电吸附使用单极静电吸附，在对该弹簧式端子进行供电时，在等离子体处理室内使等离子体点火，从而通过静电吸附固定该晶片。

9.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。

10.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括导电性材料和覆盖该导电性材料的表面的绝缘体，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。