[实用新型]一种静电保护结构

权利要求书

1.一种静电保护结构，其特征在于：它由NMOS管、电阻和压焊点构成；NMOS管的栅端、P型衬底和源端连接并接地，漏端与压焊点连接；电阻一端接压焊点，另一端为静电保护结构的输出端与芯片的内部电路连接；

所述的NMOS管还包括N型扩散区、多晶硅、源端衬底引出线和隔离环；多晶硅与N型扩散区交叠部分形成栅端；N型扩散区为P型衬底上的N阱，源端和漏端均由N阱构成，且源端和漏端成叉指状交错分布，形成多个小NMOS管并联结构；源端和漏端所在的N阱内均设有通孔，源端的通孔与源端衬底引出线连接，隔离环与源端连接；源端衬底引出线还与P型衬底连接；

所述的电阻由多晶硅构成，与压焊点连接时由多晶硅直接与压焊点连接。

2.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于：所述的NMOS管的栅端通过另一个电阻接地。

3.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于：所述的每个小NMOS管的源端的通孔与栅端之间距离为1μm，漏端的通孔到栅端的距离为4μm。

4.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于：所述的电阻宽度大于等于5μm，阻值大于200欧姆。

5.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于：所述的pick-up ring的宽度为5μm，与所述的NMOS管的N型扩散区边缘的距离为3μm。